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纳米YSZ:Eu^3+粉末的制备及光谱研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文用化学共沉淀法制备出掺Eu^3+离子的Y2O3稳定的纳米立方相ZrO2 末,并在不同温度下烧结获得不同晶粒度的粉末,分别用X射线及TEM对粉末的晶粒度进行了分析。通过对不同晶粒度的样品进行激发谱和荧光谱的研究表明,随晶粒度减小,YSZ:Eu^3的激发谱峰位有红移现象,其荧光谱的^5D0→^7F2跃迁有变化,而且各跃迁的强度比也有改变。 相似文献
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本文在纯水溶剂和乙醇/水混合溶剂中沉淀制备亚微米和纳米CaF2粉体,对沉淀产物的粒径控制进行了研究。用TEM和XRD对CaF2沉淀的粒径和形貌进行表征。在纯水溶剂中,通过改变反应物浓度和反应物混合速度以控制形核和晶粒长大比例,成功制备了粒径分别为242nm,79nm和51nm的CaF2粉体。在混合溶剂中,通过改变水/乙醇的体积比改变混合溶剂的介电常数从而改变CaF2的溶解度的方法,在1∶1,1∶4和纯乙醇中分别获得粒径为31nm,23nm和12nm的CaF2粉体,沉淀粒径的倒数和混合溶剂介电常数的倒数间呈线性关系。结果表明,在水溶液中通过控制形核和晶粒长大比例适宜制备粒径较大的沉淀粉末,混合溶剂中改变CaF2的溶解度适合制备纳米级沉淀粉体,两种手段综合运用,可以在大范围内调节沉淀粉末粒径。 相似文献
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制备了以碳纳米管(CNTs) 和镀银碳纳米管(SCCNTs) 为导电填料的各向同性导电胶, 研究了它们的电学性能、力学性能及抗老化性能, 并与传统的以微米量级的银粒子作为导电填料的导电胶的性能进行比较。研究发现: CNTs 作为导电填料时, 在填料体积分数为31 %时出现体积电阻率的最低值2. 4 ×10-3Ω·cm; 在填料体积分数为23 %时导电胶表现出最好的抗剪切性能。在填料体积分数同为28 %时, 填充SCCNTs 导电胶具有最低的体积电阻率2. 2 ×10-4Ω·cm; 填充CNTs 和SCCNTs 显示出比填充微米量级银粒子导电胶高的抗剪切强度(19. 6 MPa) 。在85 ℃、RH 85 %环境下经过1000h 老化测试结果表明: 填充SCCNTs 或CNTs 导电胶体积电阻率的变化和剪切强度的变化均不超过10 %; 而填充微米量级银粒子导电胶在老化后体积电阻率的变化和抗剪切强度的变化分别达到350 %和120 %。 相似文献
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以Ti (OC4H9)4 水解形成的溶胶体系为模板, 以AgNO3 为银纳米线的前驱体, 低温下合成长径比为50~60 的银纳米线, 采用TEM 和XRD 对所制得的银纳米线进行表征。以银纳米线作为导电胶的导电填料, 成功制备了一种高电导率的各向同性导电胶。导电胶的电学性能和力学性能测试表明: 这种导电胶在导电填料含量为56 wt %时的电导率比填充75 wt %微米银粒子的导电胶高约6 倍(体积电阻率为1. 2 ×10-4Ω·cm) 。由于填料含量的降低, 该导电胶的抗剪切强度(以Al 为基板时的抗剪切强度为17. 6 MPa) 相比于填充75 wt %微米银粒子和75 wt %纳米银粒子导电胶均有不同程度的提高。 相似文献
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毫微晶材料是近几年发展起来的一种新型材料,其界面原子的排列既不像晶态材料那样长程有序,又不像非晶态材料那样短程有序,可以看成是一种类似于气体的结构。从而,这种材料有着优于常规材料的性能。本文介绍了毫微晶材料的制备方法、结构特点、性能及发展方向。 相似文献
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本文用长短两种跨度的三点弯曲试样测试J_(Ic)值,用以检验J积分和应变能间的关系式。实验结果表明,用J=2/B(W-a)(U-U_0+M~2φ/BE'W~2)计算的J_(Ic)值,对于短跨度(S/W=4)试样,裂纹深度在0.22≤a/W≤0.71范围内,测得的J_(Ic)值具有稳定性(J_(Ic)=12.0±0.5公斤/毫米);对于长跨度(S/W=8)试样,裂纹深度在0.28≤a/W≤0.53范围内,测得的J_(Ic)值也具有稳定性(J_(Ic)=11.7±0.8公斤/毫米)。说明用不同跨度和不同裂纹深度的试样所测得的J_(Ic)值相同。但是用J=2U/B(W-a)计算的J_(Ic)值,对于短跨度浅裂纹及长跨度试样,其数值与裂纹深度有关。实验表明,前一个公式是J积分和应变能间较普遍的关系式。此外,本文对试验机系统的非线性接触位移对J_(Ic)值测量的影响进行了讨论。 相似文献
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本文在总结归纳参考文献的基础上,系统介绍了纳米材料的制备,结构及性能方面的基本概念及研究动态。回顾了纳米材料产生和发展的历史,指出了纳米材料在材料科学研究领域的地位和影响,阐述了制备,结构及性能研究的最新成果和科学价值,并展望了纳米材料研究开发的前景和方向。文中,还着重介绍了中国科学家在纳米材料研究方面的成就。 相似文献