化学气相沉积(CVD)法制备先进陶瓷材料

先进陶瓷材料具有许多优异的性能,如高比强度、高比模量、密度低、硬度高、耐腐蚀、抗氧化等,从而被广泛用作高温结构部件。化学气相沉积()法工艺能制备诸如碳化物、氮化物、硼化物、氧化物等CVD多种陶瓷,因而具有广阔的应用前景。     

低温化学气相沉积SiC涂层显微结构及晶体结构研究

在CH_3SiCl_3-H_2体系中,采用化学气相沉积法(CVD)在1000～1300℃制备了SiC涂层。研究了SiC涂层的沉积速率和温度之间的关系,发现低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程,反应的表观活化能为85～156 kJ/mol。SiC涂层的外观颜色及涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:当沉积温度<1150℃时,SiC涂层的外观颜色为银白色,涂层表面致密、光滑;当温度≥1150℃时,SiC涂层外观颜色逐渐变暗,涂层表面变得疏松、粗糙。利用XRD分析了不同沉积温度下SiC涂层的晶体结构,随着温度的升高,SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度≥1150℃,SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC外还出现了少量α-SiC。     

低温化学气相沉积SiC涂层沉积机理及微观结构

由MTS-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了SiC涂层沉积速率和温度之间的关系,MTS-H2体系沉积反应的平均活化能为114kJ/mol,用理论模型证明了低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程.SiC涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:沉积温度T<1150℃时,CVD SiC涂层表面致密、光滑;T≥1150℃时,CVD SiC涂层表面变得疏松、粗糙.随着沉积温度的升高,CVD SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度T≥1150℃,CVD SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC占主体外还出现了少量α-SiC.     

基于社会网络的社团内部个体成员信息的获取和积累算法研究

优化算法有多种多样，且都有一定得应用背景。本文提出基于社会网络的智能优化算法。社会网络映射出了全局感知、交叉和变异、种群划分等相融合的优化思想。该算法的提出解决了以往优化算法只满足单一背景与实际情况复杂多样的矛盾。更好的解决了关于优化的相关问题。     

基于OBE理念的分析化学实验教学改革研究

以学生中心、产出导向、持续改进的OBE理念,是师范类专业认证工作的行动指南,贯穿师范类专业认证全过程。在《分析化学实验》课程中,本学院教学团队基于OBE教学理念,进行了教学改革。通过修订课程教学大纲,调整实验内容,改进教学模式和优化评价机制,促进了实验教学内容与中学实验相关性、增强了团队协作能力和学生的学习兴趣,为化学专业人才培养提供了有力支撑,也为学院顺利通过师范类专业认证工作提供了保障。     

沉积温度对CVD SiC涂层显微结构的影响

以MTS为先驱体原料，在950-1300℃、负压条件下沉积了CVDSiC涂层．利用SEM对涂层的表面形貌和断口特征进行了表征．沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下：950℃时，沉积的SiC颗粒非常细小，为独立的球形堆积；1000-1100℃时，CVDSiC涂层表面光滑、致密；1150-1300℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙．结合热力学和晶体形核-长大理论，研究了沉积温度对SiC涂层表面形貌的作用机制．沉积温度和SiC涂层断口形貌的关系如下：1200℃以下沉积的SiC涂层断面致密、无孔洞；而1300℃沉积的SiC涂层断面非常疏松．利用岛状生长模型揭示了SiC涂层内部显微结构的形成机理．     

氧化物/氧化物陶瓷基复合材料研究进展

随着连续纤维增韧陶瓷基复合材料的快速发展，氧化物/氧化物基复合材料已成为 航空航天领域热端高温部件的新兴候选材料，本文从纤维、基体及界面相的角度重点介绍了氧 化物/氧化物基复合材料及其主要制备工艺，并指出了这一领域未来的发展趋势。     

复方缩宫素乳剂用于奶牛后乳中残留量测定

１０头中国黑白花奶牛用复方缩宫素乳剂处理第一天在，奶中已烯雌酚残留量虽然比处理前上升的５３％，比对照组上升约５０％，但仍在类固醇激素水平的正常范围内，且自处理后第三天开始，奶中已烯雌酚水平恢复正常，表明复方缩素乳剂用于奶牛后，对年哏消费者无不良影响。     

多孔C泡沫预制体液相渗硅制备C/SiC复合材料研究

以多孔C泡沫为预制体,利用液相渗Si工艺制备了C/SiC复合材料。采用酚醛树脂浸渍-裂解工艺对C泡沫预制体的孔隙率进行调整,考察浸渍-裂解周期对C泡沫预制体孔隙率的影响,研究了C泡沫预制体孔隙率对C/SiC复合材料密度、力学性能、组成和结构的影响。结果表明:预制体孔隙率为72%时制备的C/SiC复合材料性能较好,其密度为2.58g/cm3、弹性模量为81.39GPa,抗弯曲强度为83.88MPa;随着预制体孔隙率的降低,复合材料的密度、弹性模量和抗弯曲强度不断降低,预制体孔隙率的降低影响液相Si充分扩散与C反应,造成复合材料内部存在大量闭孔,这是导致C/SiC复合材料性能下降的主要原因。     

变频调速技术在压缩机节能改造上的应用

参照国内外同行业节电、节能的成功经验，结合我厂实际，阐述变频调速技术在气压机上的作用。