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1.
本实验研究金蝉花多糖的抗氧化活性,并对其纯化组分进行结构分析。采用热水浸提、不同浓度乙醇分级沉淀的方法从金蝉花中提取多糖,分别获得50%醇沉金蝉花多糖(50% polysaccharides from Cordyceps cicadas,CP50)和80%醇沉金蝉花多糖(CP80),并检测两者的体外抗氧化活性。结果表明:CP50较CP80表现出较强的清除自由基的能力,且具有一定的还原能力和总抗氧化能力。CP50进一步经二乙氨乙基(diethylaminoethyl,DEAE)纤维素-52和Sephadex G-100凝胶柱分离纯化,得到活性多糖CPA-1和CPB-1。经紫外扫描光谱法和高效凝胶过滤色谱法鉴定CPA-1和CPB-1为均一多糖;单糖组成分析显示两个组分中均含有葡萄糖、甘露糖和半乳糖,其物质的量比分别为:1∶0.48∶0.52和1∶0.14∶0.114。红外光谱(infrared spectroscopy,IR)及刚果红实验发现,CPA-1和CPB-1具有典型的多糖红外吸收,且含有三股螺旋分子结构。  相似文献   
2.
作为最近提出的一种非线性滤波方法,Unscented卡尔曼滤波器(UKF)具有易实现、较高的估计精度和中等的计算量等优点。然而,像扩展卡尔曼滤波器(EKF)一样,UKF关于模型不确定性的鲁棒性很差、对初始条件很敏感,容易出现状态估计不准,甚至发散等现象。为了克服UKF的缺陷,基于强跟踪滤波器(STF)理论,通过引入一种多重次优渐消因子在线调整滤波器增益矩阵,提出一种改进的UKF,并通过目标跟踪的仿真实验验证了该滤波器的有效性。仿真实验结果表明改进的Unscented卡尔曼滤波器具有好的鲁棒性,而且能够快速收敛。  相似文献   
3.
某20钢燃气钢管埋地使用不到一年的时间里先后多次发生腐蚀穿孔失效,通过宏观检验、化学成分分析、金相检验、扫描电镜分析等方法对钢管腐蚀穿孔原因进行了分析。结果表明:燃气钢管穿孔的孔洞由外向内扩展,其外观形貌具有杂散电流腐蚀的特征,同时由于钢管内部存在大量的非金属夹杂物,引起内壁点腐蚀的发生,出现大量腐蚀坑;燃气钢管的腐蚀穿孔主要是由于土壤中的杂散电流造成的。  相似文献   
4.
利用自制模拟装置模拟现场清管工艺,通过腐蚀模拟和腐蚀电化学方法分析了清管及缓蚀剂加注对20#钢在管线积液模拟液中腐蚀的影响。实验结果表明:利用过盈量3%皮碗清管球清管后,20#钢试样表面的积液和固体沉积物量均减少,腐蚀速率明显降低。当往模拟液中加注缓蚀剂或者对试样进行缓蚀剂预膜后,缓蚀剂分子会在碳钢表面形成一层缓蚀膜,有效地阻碍试样与腐蚀介质的直接接触。清管配合缓蚀剂预膜使用后,腐蚀速率降低至0.029 mm/a,对碳钢的保护效果较好。  相似文献   
5.
海底管道在投产前一般会经历输运过程和建造过程,期间饱受空气腐蚀和海水腐蚀,管道内壁极易形成锈层。本文重点讨论大气腐蚀初期薄锈层和海水腐蚀薄锈层的存在会如何影响缓蚀剂的作用效果。首先通过去离子水预浸泡和模拟海水预浸泡的方法,模拟空气腐蚀和海水腐蚀过程,然后再将带有锈层的试样进行模拟管道运行工况下的高温高压CO_2腐蚀实验,评价缓蚀剂的缓蚀效率,研究锈层对缓蚀剂效果的影响。结论显示:大气初期薄锈层及其腐蚀产物,不会显著影响缓蚀剂效果,而海水腐蚀锈层使得缓蚀剂效果明显降低。上述结论对于缓蚀剂的现场有效地应用具有一定的指导意义。  相似文献   
6.
研究并制造了2.6~2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。  相似文献   
7.
400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制出了在400MHz下连续波输出250W,功率增益10dB的垂直双扩散场效应晶体管(VD-MOSFET).采用Mo栅降低串联电阻,400MHz下用共源推挽结构成功地进行了并联工作,在Vds=50V下实现了连续波输出250W,增益10dB,漏极效率60%.  相似文献   
8.
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。  相似文献   
9.
介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件--快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理.采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件.FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小.单个FID器件工作电压>2 kV,导通时间<1 ns,工作电流高迭10 kA,抖动<20 ps,di/dt超过100 kA/μs,重复频率400 kHz.具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲.FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景.  相似文献   
10.
首先对调质处理状态的H13钢进行了渗氮、物理气相沉积(PVD)镀膜、渗氮+PVD镀膜三种不同的表面处理,然后在UMT-3型摩擦磨损试验机上,对处理后的试样进行600℃的高温摩擦磨损试验,研究了不同工艺下H13钢的高温耐磨性能。结果表明:试样的磨损形式主要是粘着磨损+磨粒磨损,经表面处理后试样的表面硬度大幅度提高,摩擦系数大幅度降低;其中渗氮+PVD镀膜表面处理试样的高温耐磨性能最好。  相似文献   
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