工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响

闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理,并利用试验证实,通过加深P阱深度,可以明显提升CMOS电路的抗闩锁性能。     

人体组织中光子密度波漫射理论的模拟研究

运用矩阵变换方法对已有的无限长矩形条件下的扩散方程的解析解进行了化简,大大提高了计算机模拟的速度.利用给定的人体前臂组织的典型光学参数,给出了扩散方程解析解的模拟计算结果.分析了介质的基本光学特性参数对漫射光子密度的影响,在验证已有的理论基础上,发现该模型下的解析解不适用于漫射系数D较大的情况.     

多散射介质中光子密度波扩散方程的二阶求解

对于生物医学光子学领域中的新技术-扩散光子密度波技术进行了理论上的研究与扩展,给出了长为a,宽为b,高为无限大的矩形边界条件下光子密度波扩散方程的二阶微扰解析解.由于实际测到的物理量多为光通量,演算出了与入射面相对应面处的光子通量和介质中的吸收系数改变量之间的关系.并利用人体前臂肌肉组织的典型光学参数,给出了二阶微扰解的模拟计算结果,并与一阶微扰计算结果进行了比较.结果表明,二阶微扰解比原有的一阶微扰解在计算精度上有一定的提高,尤其是在异常体附近精度更是有较大的提高.所得二阶结果不仅为利用扩散方程进行生物组织成像问题提供了更加精确的理论基础,而且对于图像质量尤其是分辨异物的能力的提高具有促进作用.     

长期湿热下塑封电路Cu-Al和Au-Al的金属间化合物生长差异探究

为探究塑封电路Cu-Al、Au-Al键合点在长期湿热环境下的可靠性,分别设置2组湿热应力试验条件加速Cu-Al、Au-Al键合退化.采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对键合界面形貌、成分进行观测.试验结果表明:湿热环境下塑封电路Cu-Al键合界面金属间化合物生长速率比Au-Al慢的多,具有良好的键合界面,无明显影响力学性能的裂纹、空洞的产生.     

半无限空间中光子密度波扩散方程的求解

改进了原无限大模型，求解了无限大空间中光子密度波的扩散方程，找出了相应条件下的Green函数，演算出了与入射面相对应的光子通量和介质中的吸收系数改变量之间的关系，所用模型更接近于实验研究情况，所得结论能直接用于多散射介质中成像问题的实验研究。即通过对光子通量的检测，反演出吸收系数改变量的分布，从而实现用光子密度波理论在多散射介质中的成像问题的解决。     

宇航级集成电路筛选过程质量管控措施

宇航级集成电路作为集成电路中质量保证等级要求最高的一种，其筛选过程中的质量管控要求注定也将最为严格。当前随着对宇航级集成电路的需求量不断增大，宇航级集成电路的供应量紧缺与器件的高可靠质量要求发生了矛盾与冲突。为此，加强宇航级集成电路的筛选过程质量管控，制定相应的质量管控措施应作为各单位检验部门的工作重点。通过对宇航级集成电路筛选过程要求的分析与归纳，总结出了宇航级集成电路筛选过程中的质量管控措施，可以更好地指导宇航级集成电路检验的相关工作，为未来中国实现航天科技强国目标奠定坚实的基础。