Amplified spontaneous emission spectrum and gain characteristic of a two-electrode semiconductor optical amplifier

A two-electrode multi-quantum-well semiconductor optical amplifier is designed and fabricated.The amplified spontaneous emission(ASE)spectrum and gain were measured and analyzed.It is shown that the ASE spectrum and gain characteristic are greatly influenced by the distribution of the injection current density.By changing the injection current density of two electrodes,the full width at half maximum,peak wavelength,peak power of the ASE spectrum and the gain characteristic can be easily controlled.     

小面积PN结的光电特性

用Ｐ型硅材料制作了小面积ＮＰ结光电二极管，测试了二极管的光电特性．若按杂质扩散区的受光面积计算，在同样的光照下，小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的１００倍以上．究其原因，在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内，光生载流子对光电流的贡献．因此，当杂质扩散区为一个点时，光敏感区的面积趋于恒定值πＬ，有效光吸收区体积趋于（ＺπＬ）／３．     

基于半导体光放大器的非相干光源抗反膜的优化设计

对半导体光放大器(SOA)放大的自发发射(ASE)谱进行了实验和理论研究,并且分析了SOA端面反射率对ASE谱的谱宽以及平坦度的影响.结果表明,不恰当的抗反膜会严重减小输出光谱的带宽;而在采用具有宽带材料增益谱的有源区基础上,结合抗反膜的优化设计,则可以获得既宽又平坦的非相干光源.     

AlInGaN量子阱垒层材料的优化

采用k·p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱导带和价带的能带结构,并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AlInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AlInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法,并给予了物理解释.     

AlInGaN量子阱垒层材料的优化

采用k·p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱导带和价带的能带结构,并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AlInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AlInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法,并给予了物理解释.     

SOA双折射效应对超短光脉冲光谱特性的影响

探讨了半导体光放大器(SOA)中的双折射效应对超短光脉冲光谱特性的影响。双折射使得SOA对光的相位调制具有偏振相关性,TE模和TM模具有不同的光谱分布,从而总的光谱被展宽。研究表明,超短光脉冲在SOA中发生的光谱展宽中,很大程度上是来源于相位调制的偏振相关性,并与SOA的工作电流、光功率和脉冲形状等因素有关;通过在有源区中引进合适的应变和合适的波导设计,有可能消除这种不利影响。     

Monolithic white LED based on Al_xGa_(1-x) N/InyGa_(1-y)N DBR resonant-cavity

A monolithic white light-emitting diode (LED) with blue and yellow light active regions has been designed and studied. With the AlxGa1-xN/InyGa1-yN distributed Bragg reflector (DBR) resonant-cavity, the extraction efficiency and power of the yellow light are enhanced so that high quality white light can be obtained.     

太阳能半导体照明系统控制器的研究与设计

在增量电导法的基础上提出一种改进的最大功率点跟踪算法.该算法在最大功率点两侧取不同变化步长,可减小在最大功率点附近的振荡,降低振荡造成的能量损失.设计了基于此算法进行最大功率点跟踪的太阳能半导体照明系统控制器,并进行了系统工作状态分析.控制器通过ATmega16单片机实现系统在不同工作状态间的切换和对蓄电池充放电的精确控制,提高了太阳电池的利用率,结合了太阳电池和半导体照明的优点.     

用633nm的激光器监控峰值波长为 530nm的AlGaN/GaN DBR的生长

本文从理论和实验上研究了用633nm激光器干涉仪监控峰值反射波长为530nm的1/4光学厚度的AlGaN/GaN 分布布拉格反射器（DBR）的生长。首先采用传输矩阵法从理论上研究了不同周期厚度的AlGaN/GaN DBR的实时反射率随DBR生长厚度的变化。接着采用金属有机化合物气相外延法生长了两个与模拟结构相同的DBR样品。仿真结果和实验结果表明能够从DBR实时反射率随生长厚度变化的曲线形状判断DBR的结构参数。最后通过激光干涉仪实时监控生长了DBR发光二极管,光致发光实验证明DBR对发光二极管出射光的加强作用在期望波长范围内。     

基于半导体光放大器交叉偏振调制的波长转换分析

对半导体光放大器(SOA)中光偏振态发生改变的原因和交叉偏振调制型波长转换进行了探讨和分析.如果SOA具有偏振不灵敏增益,则波长转换效果与泵浦光的偏振态无关,而只与探测光的偏振态有关,而且当入射探测光的偏振与TE模振动方向成45°夹角时,交叉偏振调制的效果最明显.为了使转换效果更好,宜采用反相波长转换,SOA的自发辐射耦合因子β应该很小.