激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型，给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN／Al2O3材料温度分布的解析形式，得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明，单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比，并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时，分界面的温度呈锯齿状不断升高。     

革命者——中国LED照明专辑——激光诱导下SaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层Zn，利用脉冲激光辐照样品，使得Zn掺入GaN中，得到高浓度的P型掺杂。利用电化学C—V法对样品进行测试，得到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明，激光诱导掺杂Zn后，未掺杂显n型的GaN材料转变为P型，接近样品表面处空穴浓度最大达3×10^18cm^-3。利用二次离子质谱方法对Zn含量进行测量，样品表面Zn原子的浓度最大约5．63×10^20cm^-3，Zn原子的浓度随深度的增加而减少和空穴浓度分布类似，由此推测p型激光诱导掺杂的机理是扩散。而对P—GaN材料进行再掺杂，样品表面附近的载流子浓度显著增加，在表面附近最高也达到约为3×10^18cm^-3。结合俄歇能谱对Zn原子浓度及其深度分布进行测量，测量结果表明在表面附近的Zn原子浓度很高，约为7×10^20cm^-3，并且浓度随深度增加而减小。改变激光辐照时间，样品表面的空穴浓度也发生变化，最大的空穴浓度约为5．8×10^18m^-3。试验结果表明激光诱导掺杂的方法对于GaN的P型掺杂是行之有效的。本方法原则上可以应用于GaN基材料的各种器件上。     

GaN材料湿法刻蚀的研究与进展

回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用。     

发展高频微波印制板技术分析

文章介绍高频微波印制电路板的各种基板材料特性和生产工艺特性,目的在于让传统PCB制造商了解利用现有资源进入高频微波产品导入方向。     

聚光型太阳电池表面栅电极的优化设计

对聚光型太阳电池表面栅极图形进行优化设计.对组成太阳电池表面栅电极的图形最小单元的各种功率损失进行了详细分析,得到了最佳栅电极间距的递推公式.优化计算了各种宽度的次栅之间的间距,并得到了相对应的功率损失比例.电极和半导体接触良好时,当次栅间距小于最佳值,电极的遮挡对于功率损失影响最大;而当次栅间距大于最佳值时,太阳电池体材料输运功率损失和次栅电极电流输运功率损失开始成为主要原因.对于高倍聚光型太阳电池来说,次栅电极的厚度相对要求厚一些.计算及分析结果可应用于聚光型太阳电池电极的设计中.