BCC金属Nb的重离子辐射损伤研究

采用81 MeV碳离子辐照,模拟中子注量为10~(23)/cm~2的堆中子在Nb中产生的辐射损伤,用时间微分扰动角关联和正电子湮没二种方法研究辐射损伤及其高温退火效应。实验发现经注量2.5×10~(16)/cm~2的碳离子辐照后,在BCC金属Nb中产生单空位和双空位二种缺陷。随退火温度升高,双空位分解,单空位的总浓度逐步减小,经过1058K退火后,在Nb中由辐射损伤造成的缺陷消失。     

14MeV中子活化分析测定重晶石中的钡

重晶石作为硫酸钡的重要矿物,在石油、化学化工、冶金和造纸工业中有着非常广泛的应用,因而钡的准确测定是必要的。我们利用14MeV中子活化分析对重晶石中钡的准确测定作了研究。     

沟道效应及某些应用的研究

本文介绍沟道-背散射分析的实验装置。用沟道-背散射方法进行了辐射损伤测定、表面组分分析、异质外延层的缺陷分析,得到了一些对半导体材料工艺、集成电路研制的有意义的结果。     

用背散射技术分析核靶的污染

在使用真空蒸发和电镀两种方法制备核靶的过程中,基衬、脱膜剂和坩埚等都会给核靶带来污染。用合适的方法分析核靶的污染,从而改进制备工艺,是制靶技术迫切需要解决的问题。我们用背散射技术分析了核靶中的杂质,使用2MeV的~4He~ 离子束,散射角为160°和135°,探测系统的能量分辨率为16keV。     

14MeV中子活化分析测定离子交换树脂中的磷和硅

离子交换树脂在提取铀的过程中,同时也将溶液中的杂质元素如磷、硅等吸附上去,随着吸附量的增加,将严重影响树脂分离铀的效率,称为树脂“中毒”现象。因此,为分别研究磷、硅含量对离子交换过程和“中毒”现象的影响,发展快速、准确测定树脂中磷、硅含量的分析方法是必要的。 14MeV中子与磷和硅作用,可产生(n,p)、(n,α)和(n,2n)反应。~(31)P(n,α)~(28)Al和~(28)Si(n,p)~(28)Al反应都生成~(28)Al,后者放出半衰期为2.3分钟的1.78MeV γ射线。~(31)P(n,2n)~(30)P反应放出半衰期2.5分钟的β~     

GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析

中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成稳定的Ge和Se,在此晶体作为施主杂质。辐照中晶格原子受到高能粒子的反冲,使晶格结构紊乱,经退火得到恢复后,杂质原子才能起载流子作用。将未掺杂的GaAs单晶在轻水堆中照射,冷却后的晶体按〈100〉定向切片,经抛光清洁处理后在氢气氛下进行等时(30分钟)不同温度400—800℃的热退火。利用1.5MeV     

注砷硅超固溶度热弛豫特性的沟道研究

红外瞬态退火高剂量注砷硅样品得到的超固溶度(亚稳载流子浓度),再经热处理后能引起弛豫现象.我们用沟道背散射方法测定了在不同后处理条件下的As原子替位率、晶格位置、深度分布以及衬底的损伤.将沟道背散射分析结果与电学测试结果作了比较,从而讨论了可能的失活机理.     

特征驱动先验的归一化卷积超分辨率重建

目的 针对融合—复原法超分辨率重建中融合与复原两大环节,提出新的改进算法框架：用改进的归一化卷积实现融合,再用改进的最大后验估计实现复原,得到更优的超分辨率重建。方法 改进的归一化卷积引入了双适应度函数和一种新的混合确定度函数;改进的最大后验估计,引入一种特征驱动先验模型,该模型通过混合两种不变先验模型而得到,形式完全取决于图像自身的统计特征。结果 用本文算法对不同降质水平的图像进行重建,并与其他若干算法重建结果比较。无论从视觉效果还是从评价指标,本文算法均优于其他算法。结论 本文超分辨率重建算法,融合环节兼顾了邻域像素的空间距离和光度差,充分利用两种确定度函数的各自优势,可以抑制更多噪声和异常值;复原环节的先验模型依据图像特征而不是经验,对图像刻画更准确。实验结果也验证了本文算法的有效性。     

铍中氟的14 MeV中子活化分析

利用14MeV中子与氟的核反应~(19)F(n,p)~(19)O,测定金属铍中的杂质氟的含量,在中子产额为2×10~(10)n/s,样品重量平均4g,探测限0.1mg,铍中氟含量1000～5000ppm时,多次测量的平均值标准偏差为±2～4%,活化分析的结果与化学分析结果相差约5～15%。