“碳化硅功率半导体技术”专题前言

半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。     

NASICON型Na~+交换材料的制备、表征与性能研究

采用高温固相两步法制备了两种Li1.4M0.4Ti1.6(PO4)3(M=Al、Cr)系列NASICON功能材料,对不同掺杂合成的样品进行了XRD和SEM表征,并分别对其Na+的交换吸附容量进行了测定。结果表明,对LiTi2(PO4)3掺入适量的Al3+和Cr3+后未改变其晶体结构,合成的吸附剂粒径分布在5~10μm;Li1.4M0.4Ti1.6(PO4)3(M=Al、Cr)对Na+有特效吸附作用,当pH=11.0时,Li1.4Al0.2Cr0.2Ti1.6(PO4)3的饱和交换吸附容量可达69.26mg/g。     

Mg2+不同取代位对LiFePO4/C性能的影响

以蔗糖为碳源,用高温固相法制备了Li0.98Mg0.02FePO4/C、LiFe0.98Mg,0.02PO4,/C和不确定掺杂位的样品LiFePO/C+Mg2+的正极材料.用XRD,SEM、恒流充放电测试、循环伏安和交流阻抗谱方法,研究了样品的结构、形貌及电化学性能.研究发现,样品均为单一规则的橄榄石型的LiFeP0,...     

论测绘产品质量控制对技术细节的要求

控制测绘产品质量,不但要加强管理体系建设,全面制订规章制度,而且要从根本入手,加强技术管理与过程控制,提高员工素质.一种可行的、有效的方式是在生产过程中内建产品高质量.它是一种令人鼓舞的方式,要求一线的生产技工明确怎样正确做事、如何有效防错,实施起来具有相当难度,但它是最根本的方法,是企业稳定质量水平无可回避的问题.怎样正确做事、有效防错呢?产品不出质量事故,不能证明方法没有问题;产品出现质量事故,无法完全证明方法错误,但至少说明了方法不够高明.如何正确做事,取决于正确的方法;如何有效防错,取决于高明的手段.从一个全新的角度,论述技术细节处理在控制测绘产品质量程序中的重要作用.     

宽禁带功率半导体器件技术

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。     

碳酸锂在水和NaCl-KCl溶液体系中溶解度的在线测定

碳酸锂溶解度在工业结晶生产中是十分重要的基础数据。采用浸入式红外探头和拉曼探头在线监测溶液体系中CO₃^2-和碳酸锂的特征峰峰强的变化,依据Lambert-Beer定律得出溶液体系中实时在线测定碳酸锂的溶解度。通过在线测定,测得碳酸锂在氯化钠-氯化钾溶液（c_NaCl=0.446 6 mol/L,c_KCl=0.015 8 mol/L）中的溶解度高于在水中的溶解度值。实验测试出的水中碳酸锂的溶解度数据还能与Van′t Hoff方程较好地关联,进一步测算碳酸锂在其他温度下水中的溶解度值。此外,该方法测定的碳酸锂在水中的溶解度数据比文献值中采用重量分析法测试出的溶解度数据偏小,是因为测试装置不同造成的。     

锂离子电池正极材料Li(MnxFe1-x)PO4的合成及电化学性能的研究

采用高温固相法合成了组成为Li（MnxFe1-x）PO4（x=0、0．2、0．4、0．6、0．8、1．0）的锂离子电池正极材料。通过对合成样品的XRD、SEM及电化学性能（循环性能,大电流放电性能）的研究表明,少量Mn的掺杂未影响到LiFePO4的晶体结构,但显著改善了它的电化学性能。Li（Mn0.2Fe0.8）PO4与LiFePO4材料相比有更好的电化学性能,在低放电倍率（电流密度为20mA／g）时,放电容量为150mAh／g,当放电倍率提高到2C时,放电容量仍可达113mAh／g,且循环性能良好。     

基于柱坐标抛物方程的海上雷达覆盖范围研究

为预测雷达波在海面的全向传播特性,提出了基于柱坐标抛物方程(parabolic equation,PE)的电波传播模型,用于海上雷达覆盖范围的研究.从亥姆霍兹方程出发,推导出柱坐标系下的前向PE形式.再利用PE通解中三角函数的正交性,求解各电波传播模式的激励系数,结合分步傅里叶变换实现柱坐标PE的步进迭代算法,以预测电...     

宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.     

乌东德水电站首级施工控制网测量及若干关键技术

介绍了乌东德水电站施工控制网的设计、埋标、观测和数据处理分析。针对高山峡谷地区大型施工控制网提出了分骨干网和工作基点网两层布置;所采用的GPS基线与地面观测边的混合处理的两种平差模型具有较高的实用价值;建立了坝址区似大地水准面二次曲面模型等关键技术。