X波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究

微波振荡器代表所有基本微波通信系统的能源来源。研究设计8．95GHz的低噪声砷化镓场效应管并联反馈介质谐振器振荡器,为了放大输出功率和提高负载牵引,在介质谐振器振荡器后一级加缓冲放大器,最终的输出功率是＋13．33dBm。测试证明输出信号的相位噪声偏离中心频率100kHz可达-116．49dBc／Hz,偏离中心频率10kHz可达-91．74dBc／Hz。     

各向异性介质涂覆曲面导体目标的散射

由于各向异性介质电磁参数为张量形式,使得各向异性介质涂覆导体目标的电磁散射建模和精确计算相当复杂和困难.引入高阶张量阻抗边界条件,可以大大简化建模过程,提高计算效率.论文针对各向异性介质涂覆曲面导体目标,采用基于平面近似的高阶张量阻抗边界条件,将一维二阶张量阻抗边界条件应用于柱面涂覆目标,二维二阶张量阻抗边界条件应用于三维曲面涂覆目标上,建立二者的高阶张量阻抗边界条件解.设计算例仿真,并与精确解/矩量法解比较.通过仿真,研究了各向异性介质涂覆目标电尺寸、涂覆厚度以及目标形状对高阶张量阻抗边界条件解的精度的影响.     

冯家山水库自动化管理系统运行简介

通过对冯家山水库自动化管理系统实际运行情况的介绍,指出该自动化系统在工程管理中的特点及存在的问题,为类似工程的自动化管理提供参考.     

高阶各向异性阻抗界条件的导出

在求解各向异性介质涂敷物体的电磁散射中,采用高阶各向异性阻抗边界条件可以简化求解过程,提高近似解的精度。文中采用谱域法法导出各向异性介质涂敷平面的二阶张量阻抗边界条件,并通过例子证明其精确性。     

矩形手征微带天线的辐射特性

本文首先建立了有覆盖层的矩形手征微带天线的数学模型，应用谱域导抗法得到了不同区域中的说域并矢格林函数，借助矢量法数据分析了手征介质的本构和几何参数，以及矩形贴片的几何形状等参量对微带天线的谐振频率和方向图的影响程序，发现了一些有趣的现象。     

EPMA对Nb_3Sn超导材料研究Ⅴ:Cu-Nb-Sn定量分析标准曲线方法

七十年代前生产的电子探针大都没有配上电子计算机,定量分析计算多采用脱机校正或手算查表的方法。本文给出Cu—Nb—Sn三元合金及Cu—Nb、Cu—Sn二元合金的校正计算标准曲线,使这三种合金样品的定量分析能够快速、准确地从曲线上查出。标准曲线是在设定Cu的浓度C_(Cu)为某一个值时,对Nb和Sn的浓度C_(Nb)和C_(Sn)进行组合,采用ZAF校正后反算出相应的X射线强度比K_(Nb)和K_(Sn)。将K对C作图。以5％的浓度间隔,设定20个Cu的浓度,制作了Cu—Nb-Sn三元合金的K_(Nb)～C_(Nb)和K_(Sn)～C_(Sn)标准曲线各20根。同时制作了Cu—Nb和Cu—Sn二元合金的K—C标准曲线,如图1和2。标准曲线使用条件为:出射角20°、加速电压25KV、测量线系Cu—K_α、Nb—L_α、Sn—L_α。使用步骤:(1)假设K_(Cu)为C′_(Cu),由K_(Nb)、K_(Sn)直接从Cu—Nb—Sn合金的K～C曲线上查出一次校正浓度值C~1_(Nb)和C~1_(Sn)。(2)从Cu—Nb合金的K_(Cu)～C_(Cu)曲线上查出C_(Cu)(Nb)以及从Cu—Sn合金的K_(Cu)～C_(Cu)曲线上查出C_(Cu)(sm),将C~1_(Nb)和C~1_(Sn)归一化为C~0_(Nb)和C~0_(Sn)由下式计算Cu的一次校正浓度值为:     

再辐射边界条件在FDTD中的应用

目前的吸收边界条件存在编程复杂,占有内存空间与计算量过大等缺点。再辐射边界条件通过在截断边界处引入与入射波等效电磁流符号相反的源,使得穿过边界的电磁场得到有效的衰减。与传统的吸收边界条件相比,再辐射边界条件具有吸收性能优越,设计思路清晰,编程简单,内存占有少,计算时间短的优点。推导了在离散网格中再辐射边界的反射系数与时间及空间步长的关系,通过时域有限差分方法（FDTD）进行了验证,与理论值基本相符。     

仲钨酸铵(APT)废水除砷氟探索试验研究

针对研究设计院仲钨酸铵生产产生的废水提出一种合理的处理工艺,使废水经处理后达标排放.研究结果表明:两种处理方法可以达标排放.一是废酸中和-石灰沉淀,二是硫酸中和-石灰沉淀砷和氟均可达到国家废水排放标准;氟离子浓度提高到700 mg/L,该方法也适用.     

基于双负材料的宽频带微带天线设计

采用空腔模型法设计了以双负材料(ε、μ为负值)为介质衬底的新型微带天线。实物测试表明:新型天线比普通材料微带天线明显展宽带宽。在未对天线贴片作优化处理的情况下,新型天线–10 dB反射系数带宽达1.50 GHz,比普通材料的天线展宽约70%,相对带宽达16.3%,E面辐射方向图较前者偏转了约40°,而H面方向图则与普通材料天线相似。