首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   21篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
工业技术   22篇
  2012年   1篇
  2008年   3篇
  2007年   1篇
  2006年   1篇
  2003年   1篇
  2002年   2篇
  2001年   3篇
  2000年   2篇
  1999年   5篇
  1993年   1篇
  1992年   1篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
电子材料温频特性计算机测控系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
韩九强  袁战恒 《电子测试》1989,(3):29-34,41
  相似文献   
2.
利用俄歇电子能谱仪(AES)分析了高场强下不同条件形成的阳极氧化膜中相关元素的分布,分析表明膜中不同程度存在B、C、P等相关元素。测试其相应的介电性能,表明氧铝比R(O∶Al)接近于1.5时其介电性能较好。  相似文献   
3.
在不同配方、不同pH值的低压和高压电解液中测试纯铝样品的电流变化,根据电流大小及电流变化速度,确定形成能力最强的介电用铝阳极氧化膜形成液。  相似文献   
4.
把用厚陶瓷工艺制成的TiO2氧传感器用于汽车的空燃比控制,即可以节省燃油,又可以大大减轻汽车尾气对大气的污染,但未加催化剂的TiO2氧传感器响应速度慢,而在TiO2材料中加入PdCl2催化剂可以有效地提高氧敏传感器的化学反应速度,从而使TiO2氧传感器响应时间由7s减少到1.5s。  相似文献   
5.
本研究利用调整有效介电常数的互补公式  相似文献   
6.
本利用俄歇电子能谱仪(AES)研究了高压铝阳极氧化膜不同深度的氧铝比,发现不同深度上偏离A12O3化学计量比是其介电性能劣化的原因。查明不同深度的形成技术条件,通过研究恒压下不同形成电汉时的最终电汉及三相交流形成后直流形成的O/A1比,结果发现成膜速度太快和形成中氧化不足是现阶段阳极氧化膜O/A1偏离的主要原因,针对氧铝比偏离1.5的多少对原形成条件作出相应调整,使铝阳极氧化 介电特笥得以优化。  相似文献   
7.
通过浸渍法用H2PtCl6溶液修饰TiO2厚膜,经过不同的处理工艺,获得表面负载Pt粒子的Pt/TiO2厚膜.采用XRD和SEM分析了Pt/TiO2的物相结构和表面形貌,并通过电阻氧分压关系计算Pt/TiO2厚膜活化能.然后分别通过静态和动态测试法,表征了Pt/TiO2厚膜在H2/O2中的稳态阻值和动态响应时间.结果表明:受"spill-over"机制影响,Pt/TiO2厚膜在H2/O2气氛下的稳态电阻与Pt的散布状态有关.而样品响应时间不仅与Pt粒子的分布有关,还受表面活化能的影响,在Pt散布基本相同情况下,活化能越低,样品响应速度越快.  相似文献   
8.
介绍用Fe,Nb对SrTiO3中八面体B晶位上的Ti离子进行百分之百的取代,调节Fe,Nb的摩尔百分比,使其符合类钙钛矿的AnBnO3n-1及AmBmO3m 2系列n,m取整数的组分,从制得9种组分的试样X衍射分析看到常温下,仍保持钙钛矿的基本结构,受主一边由蝎针结构向钙钛矿结构过渡中,在-50℃-200-,呈现6个数量级的PTCR区段,在施主一边,20℃-200℃范围出现中,高阻PTCR区段,20摄氏度,以下呈现良好介电特性,在14-140℃,电阻率随电压变化不大。  相似文献   
9.
10.
汽车空燃比控制用的TiO2 系厚膜氧传感器   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍了掺五价金属氧化物(M_2O_5)对TiO_2氧敏材料电阻率的影响,测定了半导化后的TiO_2材料不同温度下的氧敏特性,并讨论了其敏感机理.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号