Al2O3—TiC复合陶瓷的研究进展

介绍了目前制备Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＣ复合陶瓷的各种方法及研究进展，对自蔓延高温合成法及无压烧结法作了重点评述。     

(Nb,Ti)C的制备方法对(Nb,Ti)C-35Ni金属陶瓷的微观结构及性能的影响

用自蔓燃高温合成（SHS）技术及电弧熔融法制备的（Nb，Ti）C固溶体作基体，制备（Nb，Ti）C－35Ni金属陶瓷。结果表明用电弧熔融法制备的（Nb，Ti）C为基的试样具较优的室温力学性能（σ＝1630MPa，KIC＝18．0MPa），其陶瓷颗粒均匀分行粘结相之中并是包裹结构；而用SHS法制备的（Nb，Ti）C为基的试样其力学性能相对较差，其陶瓷颗粒无包裹结构．     

在陶瓷粉末表面化学镀包复金属

采用化学镀方法，以联氨作还原剂，在陶瓷粉表面制备（ＮｂＴｉ）Ｃ－Ｎｉ及（ＮｂＴｉ）Ｃ－ＮｉＭＯ包覆粉末，目的是提高陶瓷－金属复合材料的力学性能。用Ｘ射线衍射、扫描电镜及电子探针等对包覆粉末进行分析，结果表明包覆上去的镍及镍钼合金呈球状，平均粒径约０．３μｍ，达到了陶瓷相与金属相充分分散之目的。     

（Nb,Ti）C—Ni金属陶瓷的抗氧化性

用热等静压方法制备了（Ｎｂ，ＴｉＣ）Ｃ－Ｎｉ金属陶瓷并作了８５０℃，９００℃，１０００℃及１１００℃下的等温氧化和室温￣１１００℃的不等温氧化试验。在高温下，该金属陶瓷的表面被氧化成ＴｉＯ２，ＮｉＯ，ＮｉＴｉＯ３。认为Ｏ２通过氧化层向反应界面的扩散是控制氧化速率的主要步骤。氧化增重遵循抛物线规律，其激活能约为２３４ｋＪ／ｍｏｌ。     

（Nb，Ti）C－Ni金属陶瓷的抗氧化性

用热等静压方法制备了（Ｎｂ，Ｔｉ）Ｃ－Ｎｉ金属陶瓷并作了８５０℃，９００℃，１０００℃及１１００℃下的等温氧化和室温～１１００℃的不等温氧化试验。在高温下，该金属陶瓷的表面被氧化成ＴｉＯ＿２，ＮｉＯ，ＮｉＴｉ＿３。认为Ｏ＿２通过氧化层向反应界面的扩散是控制氧化速率的主要步骤。氧化增重遵循抛物线规律，其激活能约为２３４ｋＪ／ｍｏｌ。     

STUDY ON STRUCTURE AND PROPERTY OF Nb-DOPED TiC CERAMIC WITH QUANTUM CHEMISTRY CALCULATIONS

Nb-doped TiC ceramic,or (Nb_yTi_(1-y)) C_x, inwhich amount of Nb element added is increased from zero to40Wt.%, synthisized with self propagating high temperaturesynthesis, is studicd with SCF-Xa-DV,a quantum chemistry cal-culating method. The chemical bonding is studied to discuss therelation between structrues and properties. Several classes ofmodels in which there is no vacancy,one vacancy or two vacan-cies have been calculated. From the calculated results of bond or-der, a measure of covalent bond strength, and molecule orbitalcontotr map, it is concluded that when Nb element added in-creases, the vacancies increase correspondinigly, the covalent com-ponent of chemical bonds of the samples decreases while the met-al-bonding component increases, so the hardness and resistanceof the samples decrease.     

Si掺杂B_4C半导体的热电性能

本文探讨了掺Ｓｉ对Ｂ４Ｃ半导体的热电性能（包括电导率、热导率及Ｓｅｅｂｅｃｋ系数）及显微结构的影响，应用小极化子跃迁机制，讨论了Ｓｉ掺杂Ｂ４Ｃ半导体的传输行为     

工艺条件对氧化硅纳米结构的影响

通过金属催化化学气相沉积法,采用四氯化硅作为硅源合成了棒状氧化硅纳米结构.对产物进行了场发射扫描电镜、透射电镜及附带X射线能谱仪的表征测试.生长工艺条件包括沉积位置、反应时间、氩气冲洗次数和基板对产物纳米结构的影响进行了探讨,其中前三者分别影响气相硅源的浓度、获取硅源的量和残余氧的浓度,而基板的成分和表面粗糙度对纳米结构的生长影响显著.     

反应烧结制备AlN—Al2O3复合陶瓷的机理研究

探索性地研究了用反应烧结技术在Ａｌ２Ｏ３陶瓷中引入原位生成的纳米级的ＡｌＮ，制备ＡｌＮ－Ａｌ２Ｏ３纳米复合陶瓷，结合衍射仪，微热分析仪及扫描电镜研究了其反应烧结机理。