ITO与p型SiCGe的接触特性

利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜,并研究其ITO与p型SiCGe的接触特性与p型SiCGe制备条件、退火温度、退火时间的关系.结果表明:p型SiCGe制备条件的不同影响着退火使ITO/p型SiCGe的接触由线性变为非线性或者由非线性变为线性;随着退火温度的增加,接触电阻先减小后增加,这是由于退火过程中,接触界面层发生了反应以及接触势垒高度与宽度发生了变化造成的.当退火温度为500℃时,其接触电阻达到最小值,此时ITO薄膜的最高透过率高达90%,方块电阻为20.6Ω/□.     

非均匀地应力下井壁Von Mises应力及稳定性分析

为分析非均匀地应力作用下井壁Von Mises(米塞斯)应力及其对井壁稳定性的影响,建立了非均匀地应力作用下井壁附近岩石的力学分析模型。根据弹性力学中应力与应力函数之间的关系,应用叠加原理,导出了非均匀地应力下井壁径向应力、环向应力和剪切应力计算公式,分析了非均匀地应力对井壁稳定性的影响,确定了以钻井液密度为自变量的井壁Von Mises应力的二次拟合公式。采用拟合公式计算的井壁Von Mises应力误差小于2.5%,利用该公式可以确定井壁岩石不会破裂的钻井液密度。     

退火对Ni/3C-SiC欧姆接触的影响

采用溅射法在液相外延 3 C-Si C上制备 Ni电极 ,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响 ,实验表明对于 Ni/n-Si C金半接触 ,经过 80 0～ 1 0 0 0°C高温退火 5分钟后 ,肖特基整流特性退化为欧姆接触 ,表现出良好的欧姆接触特性 ,且随退火温度的提高 ,接触电阻进一步下降 ,1 0 0 0°C退火后 ,可获得最低的接触电阻为 5 .0× 1 0 - 5Ω· cm2。     

SiCGe/3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真

针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的Ⅰ-Ⅴ特性,饱和压降大约为4V.     

泌阳凹陷王集—新庄油气成藏期次及运聚模式

根据与烃类流体包裹体相伴生的盐水包裹体的均一化温度,结合典型井的埋藏史、热史确定了王集—新庄地区成藏期次和时间:早期油气成藏期主要发生在核一段末期—廖庄组沉积期;晚期油气成藏期主要发生在廖庄末抬升期,是形成现今油田的主要成藏期.油气主要运移期应早于王集—新庄地区主要断裂的形成期.断层的形成导致原生油藏的破坏和再分配,也...     

SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.     

p-β-FeSi2/n-4H-SiC异质结近红外光电二极管的光电特性

本文首次报道了p-β-FeSi2/n-4H-SiC异质结的实验研究。采用磁控溅射和快速退火工艺在4H-SiC衬底上制备p-β-FeSi2/n-4H-SiC异质结近红外光电二极管。通过扫描电镜（SEM）得到了薄膜样品的表面形貌。通过在室温下测量获得了器件的电流密度-电压（J-V）特性和光响应特性。p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结光电二极管的J-V特性的测量结果表明该异质结具有整流特性,并且在光照(1.31μm@5mW)下加-1V偏压时产生的电流密度约为1.82mA/cm2,而在无光条件下产生的暗电流密度约为0.537mA/cm2。探测率约为8.8×109cmHz1/2/W。所有的测试都是在室温下完成的。综上,p-β-FeSi2/n-4H-SiC异质结可以被用来当作近红外光电二极管,适合应用于光激发的SiC基器件。