Holstein 分子晶体模型能带结构的温度依赖性

研究了温度对Holstein分子晶体模型能带结构的影响,结果表明固体的能带宽度和禁带宽度都与电子和热声子相互作用以及热膨胀密切相关.对一维Li原子品格链,在所选定的参数下,1s和2s的能带宽度随着温度的增加而变窄,两带之间的禁带宽度变宽,这些结果与实验结果在定性上是一致的.显然,研究能带结构的温度依赖性对于理解固体的光学和输运性质都是十分重要的.     

强耦合作用下自旋与碳纳米管谐振器之间的动力学研究

理论分析了单电子自旋与碳纳米管机械谐振器之间的耦合对系统动力学行为的影响。用一个主方程,通过半经典的方法具体研究了系统在有量子位-谐振器耦合和没有耦合时平均声子占有数随频率失谐的变化情况、在不同耦合强度时对比了系统在旋波近似和非旋波近似下平均声子占有数随频率失谐的变化情况。在有耦合的情况下,平均声子占有数在共振时,产生了一个分裂,而且在分裂峰值的附近出现了双稳态。通过对碳纳米管谐振器平均声子占有数的分析发现,旋波近似和非旋波近似在耦合强度较弱的情况下能够很好的吻合。当系统进入超强耦合时,旋波近似不再有效,此时非旋波项变得不可忽略。     

辐射压力诱导强耦合光机械腔中的简正模式分裂和冷却

在解析边带机制下用量子郞之万方程研究一种由辐射压力与驱动Fabry-Perot光学腔相耦合而产生的光机械动力学行为。随着输入激光功率的增加,振子的涨落光谱呈现简正模式分裂的现象,并且结果和实验相符合。也推导了有效机械阻尼和共振频移。红移边带导致了机械模的冷却,蓝移边带引起了机械模的放大。此外,引入一种近似机制来研究振子的冷却。由于简正模式分裂和基态冷却都要求在解析边带机制下,这就需要考虑简正模式分裂是否会影响到振子的冷却。同时也讨论了操控基态冷却的关键因素。     

太赫兹场作用下GaAs 量子阱的光吸收研究

用密度矩阵理论，研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下，由于量子约束斯塔克效应，光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率，吸收谱出现恶歇分裂，并产生边带。这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应。     

Holstein分子晶体模型能带结构的温度依赖性

研究了温度对Holstein分子晶体模型能带结构的影响,结果表明固体的能带宽度和禁带宽度都与电子和热声子相互作用以及热膨胀密切相关.对一维Li原子品格链,在所选定的参数下,1s和2s的能带宽度随着温度的增加而变窄,两带之间的禁带宽度变宽,这些结果与实验结果在定性上是一致的.显然,研究能带结构的温度依赖性对于理解固体的光学和输运性质都是十分重要的.     

量子点-腔系统耦合强度对非相干抽运的响应

用量子主方程理论研究了量子点-腔耦合系统。为了说明理论模型,分析了一个量子点微柱腔强耦合(SC)实验。经研究发现耦合系统在稳态时抽运产生一个新的强耦合标准,抽运可以抑制或者增强强耦合;腔发射谱双峰结构并不是强耦合的明确特征,它还依赖于非相干抽运。研究表明,强耦合经常出现变相的单峰而弱耦合(WC)出现双峰结构与系统所控制的参数值密切相关。激子抽运增加时,腔发射谱由双峰逐渐变成增宽的单峰最后变成窄的单峰;腔衰减率增加时,均为双峰结构的腔发射光谱经历了从强耦合到弱耦合的转变。量子点腔失谐系统有效耦合强度与非相干抽运密切相关。     

太赫兹场作用下半导体超晶格的动力学过程及光吸收谱研究

基于激子基，采用密度矩阵理论研究了太赫兹场作用下半导体超晶格的子带间动力学过程及光吸收谱。在太赫兹场的驱动下，激子作布洛赫振荡。子带间极化的缓慢变化依赖于太赫兹频率，随着太赫兹频率的增加，子带间极化向下振荡，极化强度降低。以 和 两种超晶格为例进行研究，它们的光吸收谱出现了卫星峰结构，这是由于太赫兹场与万尼尔斯塔克阶梯激子作用的非线性效应产生的。但是就 与 超晶格相比而言，我们研究发现，n<0的激子态与n=0的激子态耦合作用较强使得光吸收谱吻合性较好，n＝0时的激子态吸收光谱出现红移，n>0的激子态光吸收谱中出现的边带效应不是很明显。