[N_2]_2二聚物激光介质研究

理论上通过从头算法 (abinitio)计算强相互作用的N2 分子二聚物可能存在的 6种点群构型的势能曲线 ,证明N2 分子二聚物以D2h 对称群构型存在 ,且存在电偶极允许的类准分子跃迁a1B2 g →a1B3u,并计算了a1B2 g →a1B3u 跃迁的荧光谱。估算了N2 分子二聚物 ( 3 3 6 2 1nm)的小信号增益系数。利用微波 ( 2 45GHz)激励高纯氮 ,实验观测了N2 分子二聚物的系列荧光谱带 ,并利用放大自发辐射 (ASE)法测量N2 分子二聚物 ( 3 3 6 2 1nm)的小信号增益系数 ,在误差范围内与理论估算基本一致。最后从理论上估算了N2 分子二聚物激光振荡的输出功率。     

均匀会聚菲涅尔透镜设计及性能研究

提出了一种均匀会聚菲涅尔透镜设计方案,透镜基于离轴聚焦设计,采用方形非旋转对称结构,利用光强叠加实现均匀会聚.文章基于该方法建立了几何聚光比分别为56、100、400和900倍,焦距分别为300 mm、400 mm、500和600 mm的透镜模型,并利用光学仿真软件对其聚光性能进行分析.研究结果表明:基于该方法设计的透镜能够较好地实现均匀会聚,且聚光效率和聚光分布均匀度均超过80％,可以满足聚光光伏需要.     

An ab-initio study of a~1B_(3u)→X~1A_g transition in a neutral molecular N_2 dimer

0　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｈｅｉｎｔｅｒｍｏｌｅｃｕｌａｒｐｏｔｅｎｔｉａｌｓｏｆｔｈｅｂｉａｔｏｍｉｃｍｏｌｅｃｕｌｅｄｉｍｅｒｉｎｔｈｅｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅａｎｄｌｏｎｇｒａｎｇｅｖａｎｄｅｒＷａａｌｓｒｅｇｉｏｎｈａｖｅｌｏｎｇｂｅｅｎｓｔｕｄｉｅｄ[13] .Ａｎｕｍｂｅｒｏｆｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ[4 15] ａｎｄｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ[16 2 4 ] ｗｏｒｋｓｈａｖｅａｐｐｅａｒｅｄｄｕｒｉｎｇｔｈｅｌａｓｔｔｗｏｄｅｃａｄｅｓ .Ｔｈｅｍａｊｏｒｓｔｕｄｉｅｓｏｎｔｈｅｎｅｕｔｒａｌａｎｄｉ…     

非线性光限幅材料的研究进展

通过对线性、非线性以及相变激光防护材料性能的简要比较,综合分析半导体材料、金属酞菁类化合物、C60及其衍生物、无机金属团簇化合物及碳纳米管材料的光限幅特性.基于碳纳米管材料具有限幅阈值低、限幅波段宽、响应时间短等优势,进一步论述了其在光限幅应用中的研究进展,指出该光限幅材料在材料化及器件化方面需要更深入的探索,以期能够更好地用于光限幅领域.     

整形二元光学元件衍射效率的研究

设计了用于将He-Ne激光基模光束整形为环形光强分布的光束二元光学元件;并进行了实验分析,在实验中,主要改变输出面距BOE的距离L,测得输出面的衍射效率,并与数值计算相比对.     

微波激励高纯氧产生的新谱带

利用微波激励高纯氧观测到了峰值波长分别为483.1 nm和519.9nm的两个新谱带,通过实验和动力学过程分析说明这两个谱带不是由O_2或O_3发射的,理论计算证明这两个新谱带是由O_2分子的两个激发态O_2(~1∑_g~+)和O_2(~1△_g)碰撞反应辐射的。     

O2（1∑g^＋）和O2（1Δg）的碰撞发射谱

利用微波激励高纯O2观测到了峰值波长分别为450.8nm、565.9nm的2个新谱带。实验研究和动力学过程分析证明，这2个新谱带是O2的激发态O2（1∑g^ )和O2（1Δg）碰撞反应发射的。     

微波激励高纯氧产生的新谱带

利用微波激励高纯氧观测到了峰值波长分别为483．1nm和519．9nm的两个新谱带．通过实验和动力学过程分析说明这两个谱带不是由O2或O3发射的，理论计算证明这两个新谱带是由O2分子的两个激发态O2(^1∑g^ )和O2(^1Δg)碰撞反应辐射的．     

新型准分子激光介质O2（^1Δg）二聚物研究

通过Ａｂｉｎｉｔｉｏ计算证明Ｏ２（＾１Δｇ）二聚物具有Ｄ２ｈ群构型。利用微波激励高纯氧获得了Ｏ２（＾１Δｇ）二聚物的２个新谱带,它们的峰值波长分别为４８６ｎｍ和６５６ｎｍ,采用放大自发辐射法获得了４８６ｎｍ和６５６ｎｍ辐射的小信号增益系数;利用平凹稳定谐振腔获得了４８６ｎｍ和６５６ｎｍ辐射的激振荡,最大激光输出功率分别为１３０μｗ和１４０μｗ,束散角为２８ｍｒａｄ。     

N2分子二聚物在352.3 nm处增益特性研究

利用微波放电激励高纯氮,并采用放大自发辐射法,研究了不同微波激励功率和不同N₂气压条件下N₂分子二聚物352.3nm辐射的增益特性。给出了沿放电管轴线N₂分子二聚物352.3nm辐射的小信号增益系数随微波激励功率和充入放电管N₂气压变化的规律。研究结果表明当微波功率大于100W时,充入N₂气压在330~1 800Pa范围内,N₂分子二聚物在352.3nm处存在受激辐射特性。当微波功率为500W,充入放电管的N₂气压为1 100Pa时,N₂分子二聚物352.3nm辐射的小信号增益系数最大为1.08%cm^-1。另外,还给出了N₂分子二聚物352.3nm辐射增益沿放电管径向分布情况。 N₂分子二聚物352.3nm辐射的增益系数在放电管中心最小,接近管壁时最大。