基于GPRS DTU的远程可控水质监测船

本文针对我国水域污染问题日趋严重,设计一款远程可控水质监测船系统。该水质监测系统可实时检测水域污染情况,监测设备通过GPRS将水质数据及监测船位置实时传输给监测人员,监测人员通过上位机可控制监测船运动轨迹。该水质监测系统与传统的水质监测设备相比,具有机动性强,监测水域范围广,减少人力物力,并可及时发现污染水域,可有效改善水质问题。     

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法.着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果.根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值.     

超低导通电阻Ron的SiC沟槽器件

本文介绍了下一代碳化硅(SiC)平面MOSFET、沟槽结构肖特基二极管和沟槽MOSFET器件。首先,开发了SiC平面MOSFET,可以抑制在正向电流通过时引起寄生PN结二极管的劣化;其次,开发了新型沟槽SiC肖特基二极管,与传统SiC二极管相比,在可接受的漏电流条件下,具有更低的正向压降;第三,开发了新型双沟槽结构SiCMOSFET,在保持超低导通电阻的同时,提高了器件的可靠性,其主要原因在于新结构有效降低了槽栅底部的最大电场强度,抑制了栅氧的击穿。     

提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET

本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度、屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电荷。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%。上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的同步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。     

铂、金掺杂对快恢复二极管性能的影响

本文介绍了各类寿命控制技术,重点阐述了铂、金掺杂的特点。通过对试验结果的讨论,分析了扩铂、扩金方法对反向恢复时间t_(rr)、正向压降V_F以及反向漏电流I_R等参数的影响,最终确认在高可靠性产品中扩铂是二者中的优选方法。     

用于超短激光脉冲检测的新型光电薄膜的量子产额

超短激光脉冲的研究已经成为基础科学与应用科学研究的重要内容，对用于检测这种信号的光电发射功能薄膜材料的研究也受到人们极大重视。Ag－Ba－O薄膜是一种可以经历暴露大气，用于超短激光脉冲检测的新型光电发射材料。光电薄膜在超短激光脉冲作用下的量子产额测量与普通可见光作用下量子产额的测量有很大不同。当激光波长为1．06μm，激光的功率密度为107～108W／cm2，选单光脉冲宽度为40Ps时，经历暴露大气的Ag－Ba－O薄膜光电量子产额为10-6数量级。这种薄膜经历暴露大气后，可见光的积分灵敏度全部损失，但在1．06μm激光作用下恢复，光电量子产额不比未暴露大气的样品低。这为Ag－Ba－O薄膜应甲于红外超短激光脉冲的检测奠定了基础。     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的磁光开关效应

在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。     

飞秒脉冲激光驱动的薄膜中的非平衡态电子弛豫

在飞秒脉冲激光的驱动下 ,使用泵浦 -探测技术测量了复合薄膜 Au- Ba- O的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线 ,观察到了薄膜对光的吸收迅速增大并在皮秒时间内恢复原状的现象。该现象是薄膜中 Au超微粒子内费米能级附近电子被飞秒激光脉冲激发 ,产生非平衡态电子而经历瞬态弛豫造成的。从理论上给出了复合薄膜中 Au超微粒子的电子声子相互作用常数 g的数值     

带保护环结构的条形X光阵列探测器

研究了带有保护环结构的条形X光阵列探测器,结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度为150μm;环境温度为18℃时,70V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为20nA.     

工艺参数对Si深槽刻蚀的影响

采用Bosch技术研究了在Si深槽刻蚀中刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体保护时间、刻蚀和钝化工艺重叠时间等工艺参数对刻蚀结果的影响。通过不同工艺条件的试验,发现刻蚀钝化比是影响侧壁结构的主要因素,其大小直接影响了深槽的垂直度;适当增加刻蚀阶段钝化气体通入时间对减小线宽损失有很大的作用,但增加过多会产生长草效应;合适的刻蚀和钝化工艺重叠时间,不仅可以减小侧壁表面的起伏度,还可以一定程度上减小线宽损失。采用刻蚀/钝化比为7:5、刻蚀阶段钝化气体通入时间为25min、刻蚀、钝化工艺重叠时间分别为0.5、1s的工艺条件,成功地实现了一个垂直度达(90±0.1)°、深40μm、线宽损失小于50nm的Si深槽刻蚀结构。