首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   18篇
  免费   0篇
  国内免费   3篇
工业技术   21篇
  2000年   2篇
  1999年   2篇
  1998年   2篇
  1995年   1篇
  1992年   5篇
  1990年   2篇
  1989年   3篇
  1988年   1篇
  1985年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有21条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
通过对锆钛酸铅(PZT)-铁酸铋(BF)-钨铜酸钡(BCW)系压电陶瓷的低温烧结特性及组成对烧结温度、性能的影响的研究,获得了烧结温度低(935℃,0.5 h)且性能优良的配方:0.92PZT·0.05BF·0.03BCW+0.08wt%CuO,其K_p为47%,Q_m为950,ε_(33)~T/ε_0为850。并应用XRD、SEM和DTA等手段探讨了该系统瓷体的相组成和低温烧结机理。  相似文献   
2.
3.
PZT-BF-MCX系压电陶瓷的烧结和电性能   总被引:3,自引:1,他引:2  
研究了Pb(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为PCN)、Pb(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为PCW)、 Sr(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为SCN)、Sr(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为SCW)、Ba(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为BCN)及Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为BCW)第四组元(简为MCX)对低温烧结的PZT-BF-MCX(其中PZT为Pb(ZrTi)O_3,BF为BiFeO_3)系压电陶瓷的烧结和电性能的影响。发现PCW的降温效果最好,BCN的综合改性效果最佳。所获得的最佳配方可在950℃下烧成,其主要性能已达到或接近我国医用超声压电陶瓷材料专业标准(ZBC《医用超声压电陶瓷材料》(送审稿),1990年12月广州会议通过)中规定的发射型材料要求。  相似文献   
4.
铁电陶瓷的极化运动学模型   总被引:1,自引:1,他引:0  
铁电陶瓷中两种机电耦合效应的相互关系及机理是一个引入注目的研究课题。本文从经典的固有偶极子取向极化模型出发,考虑固有偶极子取向时的弛豫现象,提出了在恒外力作用下的运动学模型,由此得到了在一定条件下铁电陶瓷中两种机电耦合效应的关系,起因和作用范围。  相似文献   
5.
本文主要讨论两部分内容。其一是由于高Q铁氧体加感接地天线在使用过程中因受雷电影响会改变其加感铁氧体性能,从而导出采用强直流磁场和交变磁场对高Q铁氧体进行作用的研究。弄清了其作用规律及对性能的影响程度,描述了采用工频强场对因直流场损坏的铁氧体进行处理的理由及所取得的满意效果。其二是讨论热处理对提高铁氧体强场Q值的效果。简单分析了热处理引起强场Q值提高的原因。  相似文献   
6.
多层片式电感器用NiCuZn铁氧体的低温烧结   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文利用Bi2O3作为烧结促进剂实现了NiCuZn铁氧体在900℃以下烧结.利用TG、DTA、DDTA等分析手段研究Bi2O3的低温烧结机理,并确定最佳烧结温度范围在840~900℃之间.X-ray分析结果表明:加入Bi2O3后生成另相化合物Bi36Fe2O57烧结后期少量Fe的固溶有助于稳定高温γ-Bi2O3相的立方结构,避免了冷却过程中的晶型转变.Bi36Fe2O57另相的存在能有效地阻止晶粒长大,从而达到改性的目的.  相似文献   
7.
中低温烧结低频独石电容器瓷料   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文引用大量的文献,介绍了近年来对中、低温烧结低频独石电容器瓷料方面的研究概况。目前,已研制出来的瓷料大致可分为含铋层结构化合物,玻璃-陶瓷,PLZT介质和含铅的复合钙钛矿化合物四类。  相似文献   
8.
9.
一、问题的提出镍锌铁氧体材料多在高频强场下使用,磁芯线圈的主要质量指标品质因数Q_0可直接山高频Q表测得。在普通高频Q表中,通过被测线圈的电流强度很微小,即线圈是在弱场下测量的。用於中波发射天线加感的铁氧体线圈,正常工作时所承受的磁场强度有数个奥斯特,即工作在强场下。铁氧体线圈的性能参数不但与频率有关,还与工作场强  相似文献   
10.
本文探讨了PZT-BF-BCN四元系统压电陶瓷在不同烧成条件下电性能的变化及其显微结构特点,详细研究了极化电场、极化温度和极化时间对该系统电性能的影响,找到了该系统较佳的烧成和极化工艺条件.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号