退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响

采用磁控溅射的方法在p型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响。结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60 s)内形成很好的欧姆接触。过分延长退火时间,并不能改善系统的欧姆接触性能。退火温度在400~450℃时均可得到较好的欧姆接触。当退火温度为420℃,退火时间为120 s时,比接触电阻率达到最低,为1.41×10–6.cm2。     

GaAs衬底上氮化硅钝化层的低温制备工艺研究

为了获得应用于AlGaAs激光器上的优异的氮化硅薄膜,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)低温条件下在GaAs衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜,利用光学膜厚仪、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等技术对薄膜残余应力、表面形貌、折射率等进行了分析。结果表明,薄膜的残余应力随沉积功率的增加而变大;随气压先降低后变大,在200 Pa时仅为6 MPa。薄膜的表面粗糙度随功率的提高而变大;随气压的提高而减小。功率和气压对薄膜的折射率影响不大,均在2.0~2.2之间。薄膜中氢的存在形式为N-H键。选择合适的功率和气压,可以在低温下获得极低应力和优异表面形貌的氮化硅薄膜。     

退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响

采用磁控溅射的方法在p型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响。结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60 s)内形成很好的欧姆接触。过分延长退火时间,并不能改善系统的欧姆接触性能。退火温度在400~450℃时均可得到较好的欧姆接触。当退火温度为420℃,退火时间为120 s时,比接触电阻率达到最低,为1.41×10–6.cm2。     

长征时期红医英模精神的生成逻辑、基本内涵与功能价值

长征时期,由红医英模卓越贡献升华而形成的内涵丰富、独具特色的红医英模精神,其生成源于苏区时期党在红医群体中思想教育所产生的理念支撑、因应长征险恶环境下医疗救护的实践需求和艰难困苦中坚定红军将士必胜信念的目标导向.红医英模精神基于医疗救治工作"做什么""怎么做"以及"为了谁"3个向度,形成了迎难而上救死扶伤、无私奉献以及始终置革命事业于至上的基本内涵.这一精神具有重要的功能价值,为全体红医做好医疗救护、党的正确路线形成及全军将士坚定革命决心提供了精神资源,三者的有机融合促成了这一精神内化成为长征精神的组成部分.     

退火工艺对冷轧纯钛带再结晶织构的影响

研究了退火工艺对冷轧纯钛带再结晶织构和屈服强度的影响,并讨论了保温时间、再结晶织构及屈服强度三者之间的关系.结果表明,在650℃下,冷轧纯钛带退火后的再结晶织构主要是(0001)[2110]和(0001)[5610],遗传了纯钛带的冷轧织构.随退火保温时间的延长,织构的取向梯度均逐渐减小,组分和强度趋于稳定,且退火后纯钛带的屈服强度也比较均一,为冷轧纯钛带的生产提供了理论依据.