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从半导体器件物理角度出发,分析了P+-N-N+功率二极管零输入态下正向恒定电流IF与反向电流峰值IRM的解析关系。根据误差函数与初等函数的近似关系,推出简约解析关系式:(IRM/IF)=a+b×ln(IF+1)。在检测电路中引入反向平衡电流源,利用仿真软件Silvaco-Atlas获得瞬态仿真实验数据。通过Matlab软件对实验数据进行拟合分析,并对简约式适用范围和相关结论进行了验证。研究结果对P+-N-N+功率二极管的应用和相应电路系统的可靠性具有指导意义。 相似文献
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采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流IDT是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值VGS0,它会呈现IDT-VGS微分负阻现象。从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对IDT-VGS微分负阻现象进行了理论分析。研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计。 相似文献
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从半导体器件物理角度,分析了从正向恒定电流IF(3A)转变到零输入的P+-N-N+功率二极管的瞬态响应,解释了瞬态过程中电流反向并达到反向峰值IR-peak(IR-peak>IF)的原因。通过在检测电路中采用反向平衡电流源,减小被短路的正向恒流电源对零时刻二极管瞬态响应的干扰,并利用仿真软件Silvaco-Atlas进行瞬态仿真,对结论进行了验证。 相似文献
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“十一五”时期出入北京的重要通道——京津高速公路第二通道已于春节前开工。京津高速第二通道起点位于朝阳区五环路化工路立交,终点为通州区永乐店,全长34.11km,概算投资48.28亿元,该通道设计时速为120km、双向8车道。 相似文献
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硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析。研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10 μm×80 μm TSV的单孔电阻为26 mΩ,1.7 μm厚度的Cu-RDL的方块电阻为9.4 mΩ/□,测试结果与理论计算值相吻合。本研究工作为2.5D/3D集成工艺的研发和建模提供了基础技术支撑。 相似文献
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