Si-C相图的研究及碳对硅单晶质量的影响

本文用气相掺杂法得到低氧区熔硅晶体中熔点附近碳的固溶度为8·6×10~(17)cm~(-3)。并指出不同的碳含量对晶体结构缺陷产生的影响。当1423K≤T≤1573K时,碳的固溶度表达式为[C]=3.0×10~(26)exp(-66kcal/RT)cm~(-3)。求出了Si-C相图的硅侧。     

基于柔性电网的电能质量分析

阐述柔性电网的特点,利用柔性电网电压计算模型分析网络的低电压特性,结合末端补偿和直流电源点补偿,从而提高电网电能质量。     

降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型

本文提出用185nm紫外线降低高纯水中总有机碳(TOC)的能量传递光化学模型.计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系,从而解决了在工程设计中185nm紫外灯的选择和计算方法.根据理论计算出的结果和实验十分一致,证实了本模型的正确性.使高纯水中的TOC由4200μg/l 降至0.3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平.     

基于多核异构的低功耗语音AIoT芯片GX8008/GX8010

1前言相对于按钮、触摸屏、键盘输入界面,语音交互界面为人类解放了双手,还可以实现远距离控制,是一种更天然的交互方式。随着语音识别技术的发展,语音交互界面越来越成为消费者的选择。谷歌的GoogleNow和微软的Cortana,亚马逊的Alexa,还有国内的天猫精灵、百度智能音箱、360智能音箱等都实现了语音交互[1]。这些语音交互软件和设备很好地解决了智能产品的入口问题,并推动了语音交互技术的发展。目前基于深度神经网络的语音识别准确率已经超过人类自身。     

丙烯酰胺在聚乙二醇水溶液中可逆加成-断裂链转移聚合

结合双水相聚合和可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合,提出在聚乙二醇(PEG)水溶液中进行丙烯酰胺(AM)的RAFT双水相聚合,考察反应条件对聚合反应速率和产物分子量及分布的影响。结果表明:高引发剂浓度、单体浓度和聚合温度可以提高初始聚合速率和最终转化率,PEG和RAFT试剂浓度的增加会导致聚合速率减慢和最终转化率降低;峰值聚合速率随引发剂浓度、单体浓度和聚合温度的增加而增大,同时峰值聚合速率对应的时间提前;RAFT试剂浓度增加会推迟峰值聚合速率对应的时间,但可制得分子量分布较窄的产物;PEG浓度的增加会导致产物的分子量分布变宽。     

生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.     

横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001）衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半，这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时，还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸。     

通信设备企业市场分析

本文简要介绍了１９９５年通信设备公司前２０强，并从传统市场和全球市场、产品和市场、企业结构和市场、技术和市场方面作了进一步分析。     

水平式矩形硅外延系统的计算机模拟

本文针对水平式矩形硅外延系统,在分析其物理化学过程的基础上,不做滞流层或发展边界层模型的假设,把系统的温度发展分为两个阶段,即温度发展阶段和温度充分发展阶段。考虑到温度对速度分布的影响,混合气体物性对温度的强烈依赖性以及热扩散和表面反应速率的因素,分阶段进行求解,得到了生长速率分布与生长温度、基座倾角、气体流量以及反应物浓度的关系,并与实验进行比较,取得较为满意的结果。