多孔硅室温光致发光研究

采用电化学和化学溶蚀法在体单晶硅上制备了高孔度多孔硅;室温下测量了蓝光激发的光致可见光谱,发现样品在大气环境中保存时光致发光谱随时间有显著“蓝移”,并渐趋稳定,谱峰位置“蓝移”约40nm;文中给出了发光膜的平面透射电镜形貌和电子衍射照片。“蓝移”和电镜照片的结果能用量子尺寸效应说明。文中还给出了喇曼谱仪上测得的光致发光谱和多孔硅的喇曼位移峰。     

CCD中的电荷泵效应

本文提出了一种CCD(电荷耦合器件)中的电荷泵效应。这种效应会引起FDR(浮置扩散区)的电位漂移,并带来一种特殊的电荷转移损失。当有电荷泵效应存在时,浮置扩散放大器就不是非破坏性电压读出。电荷泵效应可以用完全复位转移的办法加以消除。由此对FDR的复位深度提出了一个限制。     

珀耳帖效应对无序绝缘衬底上多晶硅激光再结晶的影响

本文讨论了珀耳帖效应对无序绝缘衬底上多晶硅激光再结晶的影响.在激光扫描的同时给样品通以电流,在固液界面处珀耳帖致冷和致热效应改变了温度分布和影响了结晶过程.实验结果表明,电流方向和激光扫描方向一致时的再结晶的晶粒比方向相反时或不通电流时大得多,并且单次扫迹的宽度增宽、沿着激光扫描方向的定向结晶增强.在适当的条件下,定向结晶可以占绝对优势.     

发光多孔硅高分辨电镜分析

高分辨率透射电子显微镜分析表明,发光多孔硅是由直径为20A左右的晶粒组成的珊瑚状多孔体。多孔硅仍保持原单晶硅衬底的晶体结构框架。     

数字式电荷耦合逻辑二位加法器的研制

本文提出了简化数字式电荷耦合逻辑(DCCL)全加器结构的实现方法。此法可使这种全加器的时钟脉冲减少到三种,而且其中的两种与普通二相电荷耦合器件(CCD)的时钟系统完全一致,这对发展CCD存储与DCCL相结合的单片式信息处理系统有重大意义。文中给出了用常规的MOS工艺制造二位加法器的设计原理与实验结果。     

离子注入CO_2激光退火硅中的深能级缺陷

在注As硅中观察到7个深能级谱峰.CO_2激光退火是消除离子注入引入的深能级缺陷的有效方法.消除深能级缺陷的功率密度范围为 350W/cm~2-600W/cm~2与注入杂质激活的功率密度范围基本一致.功率密度高于600W/cm~2的CO_2激光扫描,在样品中引入比较单纯比较清洁的滑移位错.用DLTS测量,测得滑移位错的深能级为H(0.33eV).