电子束蒸发法制备CdS多晶薄膜及其结构和光学性质

采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备了具有较高结晶度和优异透光性能的CdS多晶薄膜,对制备样品的结构和光学性质进行了表征。结果表明,制备薄膜属于六方相多晶结构,沿（002）晶向择优取向生长。此外,随着衬底温度的升高,样品结晶质量先提高后降低,与薄膜厚度变化有关。紫外-可见透过谱显示,随着衬底温度的升高,薄膜的光吸收边趋于陡直,但光学带隙呈现波动变化,分布在2.389-2.448 eV之间。对样品进行光致发光谱测试表明,CdS薄膜发光锋展宽严重,仅在1.60 eV附近有一个微弱的红光发射。论文对上述实验结果进行了分析和讨论。     

基于Verilog的模拟前端时序的实现方法

针对如何高精度、高速实现模拟前端时序的问题,提出了一种用于平板探测器的模拟前端时序的Verilog实现方法。Verilog语言的编程整体上采用模块化设计,主要包含电荷采集模块、数据读出模块和计数器模块。利用锁相环技术设置各模块不同的时钟信号,通过编写有限状态机和改进型计数器实现各模块的时序。仿真结果表明,该编程方法满足了时序高精度实现的需求,具有运行速度快、灵活性高等特点,达到了预期效果。     

有机薄膜发光器件的研究进展

有机薄膜电致发光器件具有发光效率高、驱动电压低、功耗小、响应速度快等优点,已成为近年来显示技术领域的研究热点.基于有机发光器件的能级结构,分析了电极、有机薄膜以及界面三者对器件性能的影响及相应的改进措施.重点介绍了有机发光材料的研究进展,简要介绍了国内外在有机电致发光显示方面的最新进展.     

物理气相输运法制备碘化铅晶体及其电学与γ射线能谱响应研究

采用物理气相输运法制备了碘化铅晶体并制作了两种不同结构的辐射探测器。论文对室温下器件的电学性质及γ射线响应性能进行了测试。结果表明,当偏置电场与晶体c轴平行时,测得的器件暗电阻为3?1010 Ω?cm,但当偏置电场垂直于晶体c轴时,暗电阻降为2?108Ω?cm 。能谱测试显示,两种结构的探测器对241Am发射的59.5keV γ射线均有敏感的响应,其中性能最好的探测器能量分辨率达到16.8%,半高宽为9.996keV。     

有机发光显示技术的进展

有机发光显示被认为是下一代最理想的显示技术,具有自主发光、功耗小、视角宽、成本低和响应速度快等优点。本文在简述有机电致发光器件的电极结构和发光材料的基础上,重点介绍了有机显示器件的驱动技术和面板的研发成果,并展望未来发展的前景。     

有机发光显示器件的研究及应用

有机发光显示器具有自主发光、功耗小、驱动电压低、视角宽、响应速度快等优点,已成为平板显示技术新的研究热点.在介绍有机电致发光器件结构和发光原理基础上,系统介绍了有机显示器件的三个核心部分-有机发光材料、显示面板和驱动技术的研究进展,分析了有机发光显示器的市场前景及可能的应用领域,最后指出有机发光显示器在产业化进程中所需要解决的问题.     

电感耦合等离子体CVD室温制备的硅薄膜的结构研究

用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)方法在室温下制备Si薄膜.用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明,即使在室温下用ICP-CVD也获得了有纳米结晶相的Si薄膜,样品结构与源气体SiH4浓度密切相关.实验结果预示着在高电子密度的ICP-CVD过程中,活性原子集团的形成以及薄膜的生长机理与传统的等离子体CVD过程不同.     

光缆交接箱在光网络中的应用

根据接配线产品在光传输网建设中的应用,参考电信运营商网络建设相关资料和指导意见,描述光缆交接箱的工作原理及其在光纤接入网拓扑结构中的位置,通过对光缆交接箱的分类、归纳,结合光网络结构、网络层次,讲述光缆交接箱与组网建设的组成关系,阐明光缆交接箱的结构要求和设计原则,当前的市场评价及其发展趋势。     

磁控溅射法制备CdS多晶薄膜工艺研究

采用磁控法制备了CdS薄膜,研究工艺参数对样品沉积质量、沉积速率及晶体结构的影响。实验发现,在不同衬底上制备CdS薄膜时需要采取不同的后续工艺措施以获得较好的沉积质量。同时,制备样品的沉积速率随衬底类型、衬底温度、溅射功率及溅射气压的变化而变化。讨论并给出了工艺参数对上述实验结果的影响机制。X射线衍射谱显示,制备样品是六方和立方两种晶型的混合,沿(002)和(111)晶面择优取向生长。随溅射功率的增大和衬底温度的升高,两种晶型互相竞争生长并分别略微占优势。当溅射功率增大到200 W,衬底温度升高到200℃时,占优势晶型消失,薄膜择优取向特性变得更好。此外,随着溅射气压的增大,样品结晶质量下降,在0.5 Pa时呈现明显非晶化现象。