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提出了半导体光发射器件发展的五大方向,即单纵模、高速率、大功率、可见光和光电子集成技术。指明了现阶段研究重点及今后研究方向和奋斗目标。 相似文献
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本文建立了非均匀半导体激光器的传输模型,并利用这个模型对非均匀半导体激光器的传输特性进行了小信号理论分析,给出了表征其传输特性的四种传输函数,讨论了系统的稳定性和稳定条件.分析的结果表明,非均匀半导体激光器是条件稳定系统,在其输出中存在着自激振荡的可能性. 相似文献
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本文从古典控制理论出发,对半导体激光器的传输特性进行了理论分析.在小信号的情况下,将半导体激光器视为线性孤立系统.把描述其物理过程的速率方程线性化,借用网络理论,得到表征其传输特性的四种传输函数;根据传输函数,得出其对光电输入信号的响应特性和相应的等效网络;依据传输函数和等效网络,对半导本激光器的传输特性进行了分析和综合. 相似文献
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本文旨在研究高Al值Ga_(1-x)Al_xAs的生长。通过实验,基本弄清了生长全Al组份段(0相似文献
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平行光电子技术急需二维半导体激光器列阵作为光源。采用表面发射半导体激光器,可制作单片集成的二维列阵。垂直腔表面发射激光器,因其可自由排列和密集封装而特别引人注目。本文评述表面发射半导体激光器及其单片集成的二维列阵的进展。 相似文献
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异质结构是半导体激光器最基本也是最重要的结构。双异质结构实现了光和载流子的完全限制 ,使阈值电流密度大幅度下降。异质结构引进的带隙差可以实现高注入比、进一步降低了阈值电流 ,同时提高了输出功率。分别限制异质结构 ,波导层折射率的变化形式不同 ,直接影响输出光的远场分布。 相似文献
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根据《双区半导体激光器的稳定性理论》,分析了 InGaAsp/Inp 掩埋异质结构双区共腔激光器的实验结果,计算了这种器件的内部参数。结果表明:内部光耦合随着温度变化是改变器件工作状态的主要因素;阈值电流偏高与器件工艺相关的界面缺陷、结构漏电关系极大;结构漏电可以提高光输出功率。 相似文献
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本文讨论了重掺补偿的p-GaAs的指数带尾,得到了计算激光特性的解析表达式,并给出了典型样品的计算结果. 相似文献
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