预应力锚索施工技术

近年来,预应力锚索广泛应用于边坡、地下工程、深基坑等±木工程的各个领域,结合大广北高速公路路基旌工高边坡防护工程的现场施工情况,介绍了预应力锚索的一整套施工工艺,并对施工中如何最大限度地发挥岩士能量,确保施工安全和边坡稳定,提出了可行的方案。     

一种基于PN序列和循环前缀的OFDM同步算法

同步是OFDM（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）系统的关键技术之一。使用重复的PN（pseudo-noise）序列和循环前缀作同步的新方法,与仅利用循环前缀的方法相比,有估计精度高和范围大的优点。在给出其推导过程的基础上给出了仿真结果,证明了分析的正确性。     

新课改下电子技术实践教学的实施

电子技术实践教学作为一门课程,应全面贯彻新课程改革的要求,才能有利于提高学生的理论与技能相结合,动手能力与动脑能力相结合,等全面发展。新课程电子技术教学教师是参与者,学生是主体,教师引导学生主动参与、探究发现、交流合作的学习,全面贯彻落实新课改下电子技术实践教学的实施。     

变量块内部迭代算法求解零空闲流水车间问题

零空闲流水车间问题（NIFSP）是流水车间问题中带有约束条件的典型NP-hard问题,在大多数现实场景下,零空闲约束是对机器的基本要求。而目前关于NIFSP问题提出的算法对于较大规模算例、综合性能及参数调整的灵活性较差。为此,以最小化最大完工时间为目标,提出了一种可变内部迭代算法VIIA。在VIIA的初始化阶段,使用改进的FRB5产生初始解,提高了FRB5的效率,在保证算法性能的同时极大地缩短了CPU消耗时间。在破坏重建阶段,通过增加对移除工件块数量的内部迭代,从而灵活调整参数值。VIIA增大了邻域搜索,以适应不同规模的算例。为了验证VIIA算法的性能,将该算法与在流水车间调度问题中表现优秀的几种算法进行了比较。实验结果证明了VIIA在NIFSP问题求解上性能的优越性,并且在最优解的搜索上,性能明显优于对比算法。     

一种基于Hilbert变换的DCT域数字水印算法

本文提出了一种基于Hilbert变换的DCT域数字水印算法。利用Hilbert变换将原始水印图像进行置乱,然后对图像进行分块DCT变换。在DCT域中找到水印信息的嵌入位置,把置乱后的水印图像嵌入到图像的DCT域中,进行分块DCT反变换得到水印图像。实验结果表明该算法置乱效果比较好,实用性比较好,隐蔽性比较好,鲁棒性比较好。     

密封液对钟罩式气体流量标准装置的影响分析

分析密封液对钟罩式气体流量计标准装置的影响,主要来源是湿度,推导出钟罩容积的修正值公式。     

阴极蒸镀和隔离层对有机发光二极管性能的影响

制备了简单结构的有机发光二极管(OLED)ITO/NPB/Alq3/Al/Ag。实验结果表明,快速蒸镀法制备的Ag阴极越厚,器件性能越差,而慢速蒸镀200nmAg阴极时器件性能也较差。在Alq3与Al阴极之间插入BCP/C60/LiF隔离层后,即使快速蒸镀法制备的Ag厚达280nm,器件的最大电流密度、最大亮度和最大电流效率仍分别高达248.6mA/cm2、5380.7cd/m2和3.52cd/A。隔离层不仅保护NPB和Alq3基本不被玻璃化,还很好地与Alq3和Al阴极匹配,大大提高了器件性能。     

层状硅酸铁吸附剂的制备及其吸附苯酚性能

采用共沉淀法制备了新型吸附剂硅酸铁,通过FTIR、XRD、SEM、N2吸附-脱附等方法对它的形貌与结构进行了表征,并考察了吸附时间、吸附剂用量、温度及溶液pH对模拟废水中苯酚吸附特性的影响。实验结果表明,硅酸铁吸附剂比表面积高达566.0 m~2/g,平均孔径为3.5 nm;当模拟废水中苯酚初始质量浓度为100 mg/L、吸附剂加入量2 g、吸附时间120min、吸附温度25℃、pH为7时,苯酚的去除率和吸附量分别为74%,3.7 mg/g;拟合的吸附等温线与Langmuir模型符合,因此对苯酚的吸附是单分子层吸附。     

离子轰击MgO薄膜二次电子发射的研究

氧化镁因其二次电子发射系数高、抗溅射能力强等优异的性能,广泛应用于平板显示器等电子器件中,其二次电子发射性能有重要的研究价值。介绍了离子轰击下氧化镁薄膜发射的二次电子的典型测量装置及相关研究结论,总结了离子轰击下氧化镁薄膜二次电子的发射特性,同时对离子轰击的材料产生的二次电子发射的研究提出了建议。脉冲中和法比较适用于离子轰击下的氧化镁薄膜的二次电子发射的测量;不同晶面的MgO薄膜的二次电子发射系数不同,（111）晶面最高;低能离子入射情况下,二次电子的能量分布与离子类型无关。     

C_(60)作激子阻挡层的有机发光二极管

制备了结构为ITO/CuPc(25nm)/NPB(40nm)/Alq3(xnm)/C60(ynm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有机发光二极管(OLEDs),研究了C60插入层对器件性能的影响。结果表明,在无C60的器件中,当Alq3层较厚时,器件的电流密度-电压(J-V)曲线右移,不利于获得高功率效率;当Alq3层较薄时,又会导致激子在LiF/Al阴极的严重淬灭。实验优化得出,在无C60的器件中,Alq3厚为45nm的器件可获得最高的功率效率。在Alq3与LiF之间插入15nmC60层后,对器件的J-V曲线几乎没有影响,但C60层阻挡了激子向阴极扩散,减少了淬灭。当在Alq3厚度为45nm的器件的Alq3和LiF间插入15nmC60层后,可使器件获得更高的功率效率,尤其是插入15nmC并将Alq厚度降至30nm,获得了最大的功率效率。