基于伯川德模型的发电企业价格博弈分析

随着我国电力工业从集中管理垄断经营模式向电力市场开放模式的根本转变,电力市场中过度的价格竞争开始显现。运用博弈论的方法,通过伯川德模型分析发电企业间的价格博弈和市场竞争,指出发电企业实施产品差异化、构筑企业核心竞争力、合理规划行业企业数量是解决我国电力市场不合理竞争的有效方法。     

直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究

采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电薄膜。研究了薄膜结构、表面形貌、光学和电学性能与各种制备参数之间的依赖关系。X射线衍射(XRD)谱分析结果表明随着基底温度的升高,薄膜的结晶性得到改善。原子力显微镜(AFM)测试结果表明薄膜颗粒均匀,表面平整。研究发现薄膜的电学性能对制备参数非常敏感。在基板温度为380℃的条件下所制备的样品在可见光区域(400~700 nm)的平均透射率(未扣除基底)均大于80%。获得的IWO薄膜最低电阻率为2.8×10-4 ohm.cm,对应载流子迁移率49 cm2V-1s-1,载流子浓度4.4×1020 cm-3,平均透射率83%。     

超声超临界流体萃取烟叶中的烟碱

考察了夹带剂(75%乙醇)用量、萃取压力、萃取温度、CO2流量、萃取时间和超声功率密度对超声强化超临界CO2萃取烟叶中烟碱的影响.结果表明,超声强化超临界流体CO2萃取烟叶中烟碱的较佳工艺条件为:萃取压力21 Mpa、萃取温度50 ℃、萃取时间2.5 h、CO2流量3.0 L/h、夹带剂用量4 mL/g烟末、超声功率密度100 W/L、频率20 kHz.在此条件萃取下,烟碱萃取率超过94%.     

室温制备P型透明导电CuO:Ni薄膜的研究

在自主研发的一系列P型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下普通玻璃衬底上制备了Cu0.95Ni0.05O透明导电薄膜.Seebeck系数测试表明所有薄膜均为P型导电.通过x射线衍射和扫描电子显微镜分别研究了薄膜的品格结构和表面形貌,证实了所制备薄膜均为非晶结构.研究了氧气压强、脉冲电压和脉冲电流等成膜条件对薄膜电学性能和光学性能的影响.在氧气压强为3.0 Pa,脉冲电压为-18 kV,脉冲电流为4.5 mA条件下,获得了电导率最大值7.1 S·cm-1,可见光区域的平均透射率为65%,光学禁带宽度为4.3 eV的光电性能相对优良的P型透明导电薄膜.     

一种TFT源漏极沟道尺寸的自动测量方法

为了实现对图像中TFT源漏极的快速定位和沟道尺寸的自动测量,采用基于图像特征点的图像识别方法。在识别过程中先采用图像处理的方法对图像进行优化,再采用多边形拟合的方法确定目标的边缘,并通过改进的角点检测方法对物体形状进行更精确的定位,从而实现了对TFT源漏极沟道尺寸的精确测量。经过实验验证,精度可达到0.02像素。     

均匀设计法优化蜂胶水提除蜡工艺

采用蜂胶水提除蜡工艺去除粗蜂胶中的蜂蜡,并通过均匀设计法优化蜂胶水提除蜡工艺。实验结果表明,水提温度是影响蜂蜡得率和黄酮提取率的显著因素,而水提时间、液固比影响不显著。最佳工艺条件为水提温度70℃、水提时间30min、液固比6,此时蜂蜡得率较高,黄酮损失少。     

水提除蜡微波醇提蜂胶黄酮工艺的研究

采用水提除蜡微波醇提蜂胶黄酮工艺，即先水提除蜡、然后微波处理、最后室温浸提蜂胶黄酮，并通过正交试验法进行优化。得出最佳工艺为：通过水提除蜡工艺获得除蜡蜂胶，然后对除蜡蜂胶以乙醇浓度75％、液固比10：1（mL／g）、微波处理4min、室温浸提3d的条件进行提取。该工艺可以显著缩短提取时间，提高提取率。     

高迁移率IWO透明导电氧化物薄膜制备及其退火处理研究

采用直流磁控溅射法在清洁玻璃基片上制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜.研究了氧分压及其退火处理对IWO薄膜光电性能的影响.实验发现薄膜的光电性能对氧分压非常敏感,退火郸理有助于改善IWO薄膜的电阻率.获得了最小电阻率为2.2×10-4Ω·cm,载流子迁移率为63.5 cm2/V·s,可见光范围平均透射率(含基片)为83.2%的IWO薄膜样品.     

P型掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的制备和性能研究

采用渠道火花烧蚀技术,在普通玻璃基板上制备掺锌硫化铜铝CuAl0.90Zn0.10S2透明导电薄膜.运用X射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的晶体结构和表面形貌.研究不同的制备条件对薄膜光电性能的影响.结果显示,薄膜表面平整致密,均为p型导电.氩气压强和基板温度对薄膜的电阻率和载流子浓度具有显著影响,例如,随着氩气压强增加,电阻率会先降低再上升,而载流子浓度则先增加再降低.在优化的制备条件下,薄膜的电阻率最小值为0.2 Ω·cm,载流子浓度为6.67×1018 cm-3,载流子迁移率最大为1.06 cm2V-1S-1.在基板温度Ts=500 ℃时,获得了室温下最高电导率为50.9 S·cm-1的薄膜.薄膜可见光区域的平均透射率大于60%.     

有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管

利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。