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W-Mo合金表面超精密加工的CMP技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金工艺中,在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。采用碱性抛光液进行实验,确定了抛光液的成分;分析了W-Mo合金化学机械抛光中压力、流量、转速、pH值、活性剂等参数对W-Mo合金的影响。实验表明,实现W-Mo合金表面超精密抛光的最佳条件为:压力0.06MPa,流速160mL/min,转速60r/min,pH值10.1~10.3。 相似文献
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影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数.在抛光液中加入了FA/O Ⅰ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层结构.通过实验比较了在SiO2磨料碱性抛光液中加入CeO2对抛光速率的影响,得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件.在常温条件下工艺参数为转速60r/min、压力0.22 MPa和流速210 mL/min时,能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量. 相似文献
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