一种低温漂低电源电压调整率的基准电流源

利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35 μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40 ℃~100 ℃的温度范围内,电流变化为2.4 nA,温度系数为7.49×10-6/℃;在3.0~5.5 V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096 nA/V;在5 V工作电压下,输出基准电流为2.301 μA,电路功耗为0.08 mW,低频时电源电压抑制比为-57.47 dB。     

一种低功耗自动增益控制集成石英振荡器

通过分析三点式振荡器的结构原理,选取桑托斯（Santos）结构,利用非对称差分对的电流分配特性实现幅度控制,以降低功耗。采用反相器链整形满摆幅输出,设计了一种适用于无线接收芯片的12 MHz自动增益控制晶体振荡器。基于和舰（HJ）射频(RF)0.18 μm CMOS工艺,完成电路设计、版图设计与仿真,流片并测试。结果表明,该晶体振荡器的总电流为120 μA,相位噪声为-121 dBc/@1 kHz,-165.1 dBc/@1 MHz,满足无线接收芯片的性能指标。     

一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路

提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35 μm 5 V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64 μm×136 μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53 V;电源电压在3.4~5.5 V范围内,线性调整率为97.8 μV/V;PSRR在10 Hz处为-143.2 dB,在100 Hz处为-123.3 dB,在1 kHz处为103.3 dB;环境温度在-45 ℃~125 ℃范围内,平均温度系数为8.7×10-6/℃。