改进型差动变压器式线位移传感器的分析研究

针对一种具有的精度高、体积小、行程大的改进型差动变压器式线位移传感器,分析研究其结构特性,推导出位移-电压转换关系.实验结果表明,采用该结构所设计的传感器具有较大的测量范围和较高的线性度,可以得到较好的推广和应用.     

纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性

为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光.     

织金河流域降水径流变化分析

利用织金河流域2016～2017年的逐日降水、每日1h最大降水、日均流量、日均水位等气象、水文资料,运用变异系数法研究了织金河流域的降水、径流变化并分析其变化原因。结果表明,织金河流域全年有一半天数处于无降水,冬、夏半年的降水天数有微小差别。同时,各个季节的降水日数也比较均衡。但流域内各月份降水量波动较大,尤其6～7月份降水强度大、多暴雨,2016,2017年6～7月份的降水量分别占全年降水量的55.02%和44.9%。2016～2017年最大径流量和最高水位都出现在6月份,与强降水出现时间相吻合。此外,径流量对水位变化的影响显著,两者变化趋势具有高度一致性。     

富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性

采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜.利用X射线衍射谱(XRD)、红外光谱(IR)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),通过与氮气中和空气中退火薄膜比较,对原沉积薄膜进行了成分与结构和发光特性研究.研究发现原沉积薄膜是部分晶化的富硅氮化硅薄膜,薄膜中晶态氮化硅颗粒的平均粒径为33 nm;在氮气中退火后,纳米颗粒增大;在空气中退火后,薄膜被氧化,晶态颗粒消失.在4.67 eV的光激发下,原沉积薄膜中观测到7个强的PL峰,其峰位分别为3.39,3.24,3.05,2.82,2.61,2.37和2.11 eV.在氮气和空气中退火后, PL峰位和强度有变化.对其光致发光机制进行了探讨, 认为硅悬挂键≡Si,氮悬挂键=N,硅错键≡Si-Si≡以及与氧有关的缺陷在富硅氮化硅薄膜高强度荧光发射中起主导作用.