光子晶体波导传输特性研究

在完整二维光子晶体中引入线缺陷后,就形成了二维光子晶体波导。将时域有限差分方法(FDTD)用于光子晶体波导传输特性研究,计算了光子晶体波导的透射率频率分布,给出不同结构的光子晶体波导的光场分布及能流密度示意图。     

利用p型（100）硅片制备二维光子晶体的工艺

采用电化学腐蚀法并结合光刻、反应离子刻蚀以及碱性腐蚀等技术，在p型（100）硅基底中制备了大深宽比的二维大孔硅光子晶体，其二维周期性结构的晶格常数为3.8μm，孔隙直径约3.0μm，孔隙深度超过80μm．在光刻、反应离子刻蚀及碱性腐蚀所刻印的V形尖坑阵列的基础上，采用优化的电化学腐蚀参数能制备出周期性好、深宽比大、表/侧面光滑的高品质光子晶体结构，并从理论上利用数值模拟的方法证明了该样品结构在归一化频率位于0.162～0.205ωa/（2πc）范围内存在光子带隙．     

利用P型(100)硅片制备二维光子晶体的工艺

采用电化学腐蚀法并结合光刻、反应离子刻蚀以及碱性腐蚀等技术,在p型(100)硅基底中制备了大深宽比的二维大孔硅光子晶体,其二维周期性结构的晶格常数为3.8μm,孔隙直径约3.0μm,孔隙深度超过80μm.在光刻、反应离子刻蚀及碱性腐蚀所刻印的V形尖坑阵列的基础上,采用优化的电化学腐蚀参数能制备出周期性好、深宽比大、表/侧面光滑的高品质光子晶体结构,并从理论上利用数值模拟的方法证明了该样品结构在归一化频率位于0.162～0.205ωa/(2πc)范围内存在光子带隙.