三维脉动热管耦合相变材料的传热与节能特性研究

为研究三维脉动热管与相变材料耦合系统的传热与节能特性,本文搭建了三维脉动热管/相变材料耦合模块实验台,使用甲醇、乙醇和丙酮3种工质对充液率为34％、44％的三维脉动热管进行研究,建立了耦合模块的热阻模型,定义了耦合模块的热阻变化率;研究了在变送风温度(3～9 m/s)和速度(20～26℃)条件下耦合模块的热阻变化规律和...     

中温循环制冷剂对三级复叠式制冷系统性能的影响

为研究R1150/R23/R161三级复叠式制冷系统中温循环制冷剂替代的可行性方案,对采用R1150/R41/R161,R1150/R170/R161和R1150/R23/R161的三级复叠式制冷系统进行热力学分析。结果表明:蒸发温度在-120~-80℃范围内,系统处于最优运行效率时,R1150/R41/R161,R1150/R23/R161和R1150/R170/R161的系统性能系数、压缩机输入功率和系统损失相差不大;在压缩机排气温度、热力学完善度和效率上,R1150/R170/R161和R1150/R41/R161的表现优于R1150/R23/R161。综合来看,采用R41或R170在三级复叠式制冷系统中取代R23的制冷剂替代方案是可行的。     

回热器对单级蒸气压缩式制冷系统性能的影响

结合当前最新制冷剂替代政策,以单级蒸气压缩式制冷系统为研究对象,对自然工质(R744、R717、R290、R1270、R600a)、HFCs类过渡工质(R410A、R404A、R32、R152a、R161、R134a)和新型烯烃类制冷剂HFOs(R1234yf、R1234ze)经回热器后对制冷系统性能的影响进行分析。结果显示:回热器对系统COP的提升效果与制冷剂物性、运行工况和回热器效率有关;R717和R32在使用回热器后系统COP降低,当回热器效率为80%时,与回热器效率为30%相比系统COP分别降低了3.90%和2.27%;R161、R152a和R410A受回热器的影响很小;对于其他制冷剂,在使用回热器后,系统COP随蒸发温度和回热器效率的升高均有一定幅度提升,其中R1234yf、R1234ze、R600a和R404A变化最大。当回热器效率为80%的时,与回热器效率为30%相比系统COP分别升高了5.99%、3.94%、4.41%和5.05%。分析结果与相关评估标准较为接近,为现阶段带回热器的蒸气压缩式制冷系统制冷剂的选择提供参考。     

高精度无心磨削圆度保证和成圆过程解析

为了对无心磨削的圆度误差进行研究,讨论了影响高精度无心磨削过程的关键因素,包括稳定性、磨削参数、砂轮和导轮,给出了改进圆度误差的措施。在时域内对无心磨削成圆过程进行了解析。在解析研究中考虑了成圆过程的非线性环节,通过工件的轮廓和工件与砂轮、托板和导轮之间的作用研究工件的成圆过程。实验结果和理论结果的对比显示,解析模型可以对成圆过程进行准确预测。     

基于虚拟文件系统的安全存储技术的研究

介绍了一种基于虚拟文件系统的加密存储方法.通过文件系统开发技术设计并实现一个虚拟文件系统,该文件系统能够将一个二进制文件映射成虚拟磁盘,而且可以在虚拟磁盘上存取数据.为了保证虚拟磁盘中的文件的安全性,还在虚拟文件系统上集成了加密引擎、密钥管理和硬件绑定等模块.这种安全存储技术操作简单,并且能够提供高效实时的加密/解密措施,具有一定的实用价值.     

悬丝支承摆式加速度计低频振荡故障分析

针对悬丝支承摆式加速度计的输出低频振荡故障问题,文中通过故障树图进行了机理分析和试验验证,得出了输出低频振荡是由产品摆组件上两个焊丝片焊接的悬丝不共线导致了摆轴和输入轴的交叉耦合系数过大所致的结论,并提出了解决措施。     

MBE自组织方法生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料

利用分子束外延 (MBE)技术在高指数面 Ga As衬底上自组织生长了应变 In Ga As/Ga As量子线材料。原子力显微镜 (AFM)观测结果表明量子线的密度高达 4× 1 0 5/cm。低温偏振光致发光谱 (PPL)研究发现其发光峰半高宽 (FWHM)最小为 9.2 me V,最大偏振度可达 0 .2 2。以 Al Ga As为垫垒 ,In Ga As/Ga As量子线为沟道 ,成功制备了量子线场效应管 (QWR-FET)结构材料 ,并试制了器件 ,获得了较好的器件结果     

聚乙烯管道的特点及应用

目前,聚乙烯供水管的推广尚存在相当多的问题,如原料问题、管件配套问题,国内各企业产品技术水平参差不齐,生产规模较国外同类生产企业偏小等。但决定一种管材前途的是它的综合技术经济效果。本文作者认为,借鉴发达国家的经验,在发展中解决问题,我国管道工业有可能实现跨越式发展,聚乙烯管道的成熟应用也指日可待。     

4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善

采用磁中性环路放电（NLD）等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现：提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以改善深槽侧壁的粗糙度。分析了其中的刻蚀机理,实验结果和分析对研究SiC深槽刻蚀具有一定的指导意义。     

移动机器人自主导航系统及上位机软件设计与实现

针对移动机器人自主导航系统,采用C++语言设计了一款基于Qt的跨平台实时数据可视化上位机软件;该软件执行SLAM技术和路径规划算法,实现可视化移动机器人建图与导航过程以及实时读取数据参数等功能;首先介绍移动机器人的硬件结构和功能;其次给出了自主导航所运用到的改进RRT*算法和动态窗口法;在详细叙述上位机软件工作流程的基础上,开发和设计了实时话题显示、读取以及界面可视化等功能;最后基于ROS系统完成移动机器人自主导航功能,并通过实时地图与数据可视化来验证所设计上位机软件功能的有效性。