八异戊氧基-2,3-萘酞菁镍旋涂膜对NO2的气敏特性

为了设计对NO2气体具有高灵敏度、可逆性和专一选择性的敏感材料和克服敏感膜制作工艺复杂的缺点,利用旋涂技术制备了八异戊氧基-2,3-萘酞菁镍(N iNc(iso-PeO)8)气敏薄膜,采用AFM观察其表面形貌,研究了N iNc(iso-PeO)8旋涂膜对NO2的气敏性,分析了薄膜形貌和测试温度等因素对薄膜气敏性的影响.结果表明,旋涂溶液浓度较低时制备的薄膜表面均匀,平整度较好,萘酞菁分子以无序聚集形式排列在基片上.工作温度升高,薄膜对NO2的响应恢复能力增强;不同温度下N iNc(iso-PeO)8旋涂膜对NO2灵敏度的顺序为:20℃<50℃<75℃<100℃>130℃.     

八异戊氧基金属萘酞菁配合物旋涂膜的气敏性研究

用旋涂技术成功制备了一类新型萘酞菁配合物（八异戊氧基-2，3-金属萘酞菁）气敏薄膜．对薄膜进行了AFM分析，结果表明，薄膜表面均匀、平整。首次系统研究了萘酞菁配合物旋涂膜对NO2的气敏性，100℃时薄膜对NO2具有较好的响应、可逆性以及较快的响应和恢复时间。分析了配合物的中心金属对气敏性能的影响。     

偶氮染料:新型高密度、多功能光盘存储介质

偶氮染料在短波区具有优良的光学和热学性质以及光致顺反异的特性,既是一类新型高密度可录光盘存储介质,又是一类可望作为可擦重写的光盘存储介质。本文在总结近几年最新研究成果的基础上,分别阐述了偶氮染料作为高密度可录光盘和可擦重写光盘存储介质的作用机理以及对记录介质的基本要求,讨论了影响偶氮染料光学、热学性质以及光存储性能的主要因素,并对未来的发展趋势作了展望。     

高可见光透射率的溴取代萘酞菁锌化合物的光限幅特性研究

应用倍频Nd:YAG脉冲激光,在波长为532nm,脉冲宽度分别为8ns和23ps的条件下,研究了四溴-2,3-萘酞菁锌()(tetrabromo-2,3-naphthalocyanineZinc())化合物的光限幅特性。实验结果表明,在可见光透射率达到93%的条件下,该化合物具有良好的光限幅特性     

无机相变信息存储材料研究新进展

硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点.与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用.总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景.     

激光光刻技术的研究与发展

光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。     

四叔丁基四氮杂卟啉铅旋涂膜的氨敏特性

为了开发新的高灵敏度、高选择性氨敏材料,研究了四叔丁基四氮杂卟啉铅[PbTAP(t-Bu)4]旋涂膜室温下对氨气的敏感特性.PbTAP(t-Bu)4旋涂膜最低能检测体积分数为3×10-6的氨气,在氨气体积分数为6×10-5时灵敏度为30,器件对氨气响应和恢复迅速,响应时间和恢复时间分别为6 s和38 s.同时还比较了PbTAP(t-Bu)4旋涂膜对NH3、NO2、CO、H2、苯和丙酮等气体的敏感性,结果显示该薄膜对氨有独特的选择性,对于微量氨的检测具有实用价值.     

纳米光存储薄膜结构的光学性质

近场超分辨纳米薄膜结构可以突破衍射极限实现纳米尺寸信息存储,是下一代海量存储技术的重要方案之一,也是纳米光子学研究中的热点.纳米膜层结构基于激光作用下的非线性局域光学效应实现超分辨.分析了超分辨近场薄膜结构突破衍射极限的光学原理,对超分辨纳米薄膜结构的表面等离子体激发特性、非线性光学特性、近场光学特性和超透镜效应等重要光学性质的最新研究进展做了系统介绍.     

激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化

研究了激光辐照引起Ge₂Sb₂Te₅非晶态薄膜的电/光性质变化, 当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(10⁷～10³Ω/□)的突变; 对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试, 结果表明, 随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数, 在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n_非晶态>n_中间态>n_晶态, k_晶态>k_中间态>k_非晶态, α_晶态>α_中间态>α_非晶态, 结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge₂Sb₂Te₅非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.     

几种萘酞菁硅配合物的光动力效应的研究

研究了7种轴向配位的萘酞菁硅配合物的激发态性质、产生单重态氧的能力及对几种氨基酸的光敏氧化能力.研究表明,对于相同浓度的不同配合物来说,随着轴向配位基团推电子能力的逐渐增强,激发三重态寿命降低,产生单重态氧的能力逐渐下降,而产生单重态氧的能力是光敏氧化氨基酸反应速率的决定因素,因此,其光敏氧化氨基酸的一级反应速率常数逐渐减小.