基于高效3D-MUSIC 算法的近场辐射源定位

本文提出了一种用于近场辐射源定位的高效3D -MUSIC算法。该算法首先假设信号源为远场源,得到有关近场信号源与假设的远场信号源的关系式;然后利用傅立叶变换与多项式根方法计算远场辐射源的仰角和方位角,建立近场辐射源的搜索路径,沿此路径用传统的3 D-MUSIC搜索,确定近场辐射源的位置;最后在该位置附近进行局部优化搜索,得到最佳结果。仿真结果表明,该方法精确定位,计算时间短,有效地提高了定位的实时性。     

一种基于改进遗传算法的只测向无源定位技术

从单站序贯测向无源定位的误差分析出发,提出了基于遗传算法的最大似然只测向(Bearing-Only)定位方法,并以最小二乘法进行粗估计,对遗传算法采用了一维编码改进。实验表明,该方法既提高了算法的精度,又解决了二维定位中遗传算法搜索空间过大的问题,提高了算法的实用性。     

水下短距离微波无线通信实验探索

以上海市各区不同泳池为样本水源,使用微波谐振腔法获得样本的品质因数和电导率参数,建立了微波信号在泳池中传播的路径损耗模型,并评估了水下无线传输距离,选定水下无线通信实验的频率。设计加工了微波发射前端天线及相关电路模块并用于水下测试。实验综合运用了微波理论、天线技术、电磁场仿真设计、微波器件加工与测量等电磁场与微波技术专业知识,具有较强的工程应用价值。     

基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法

以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10～40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。     

“微波技术基础”课程中的增量电感法

衰减常数是微波传输线的重要特性参数。精确计算传输线的导体损耗衰减常数需要分析特定模式的电磁场并在导体表面积分。增量电感法将TEM或准TEM模导体损耗衰减常数的计算等效为特性阻抗对几何尺寸的偏导问题,简化分析过程。本文以同轴、带状线、微带线为例,阐述了增量电感法的原理、应用方法、适用范围,并加以讨论。     

“微波技术与天线”课程中的二分性定理

本文以电路的二分性定理在射频/微波技术领域的演变为基础,引出射频/微波对称网络的奇偶模分析方法,并以二分性定理和奇偶模分析法的导出公式的应用为例,说明典型的单、双对称电路和射频/微波对称网络网络参量的简单推导过程.结果表明,采用二分性定理和奇偶模分析法导出的对称电路和射频/微波对称网络的阻抗和散射参量与常规方法所得的结果完全相同.