基于卡尔曼滤波的短期负荷预测

介绍了基于极大后验噪声估值器的自适应卡尔曼滤波算法,并将此算法用于次日整点的电力系统负荷预测。自适应卡尔曼滤波模型的阶用Hankel矩阵法辨识,模型参数采用最小二乘法辨识。针对建模过程中噪声估值器失去半正定性和正定性的情况,对噪声估值器作了平方根处理,经Matlab仿真验证,该处理方法是可行的。     

基于单端电气量法故障测距的研究

提出了一种利用单端电流、电压基于故障分析法的高压输电线路测距算法.故障分析法就是利用线路故障时测量的电压、电流,通过分析和计算求出故障点离M端的距离,该算法从原理上对高压线路不考虑对地分布电容和考虑对地分布电容两者测距进行比较,并利用Matlab/Simulink进行仿真,结果表明该算法在考虑对地电容的条件下具有较高精度.     

稀氮 Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件

将少量氮原子加入Ⅲ—Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力。特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。     

HVDC换流器故障分析与仿真研究

介绍了HVDC换流器的几种短路故障工作原理,对HVDC换流器阀的短路故障以及换流器直流侧短路故障、交流侧单相接地故障、交流侧相间故障进行了详细地分析.在Matlab/Simulink下对HVDC换流器的故障进行了仿真,并选取了故障特征量进行了采样,通过编程仿真,得出几种故障的特征量曲线波形图,清晰地说明了高压直流输电中阀故障对输电系统可靠性造成的极大危害.     

GaSb量子点液相外延生长

采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.     

液相外延制备的InAs0.94Sb0.06薄膜的光学性质

采用液相外延方法在In As衬底上制备了In As0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000~6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下In As衬底和In As0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定In As0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 e V.     

微波组件红外热成像故障检测的可行性分析

分析红外热成像技术应用于微波组件故障检测的能力基础.通过波束分配组件和T/R组件进行试验验证,红外图像中组件局部电路的清晰结构、工作芯片和故障芯片的明暗对比、单芯片不同区域的亮暗对比证实红外热成像技术适用于微波组件的故障检测.另外红外热成像技术应用于微波组件大批量、高效率故障检测还需具备大面积成像能力、小区域显微成像能...     

表面粗糙度对微波带通滤波器性能影响

滤波器作为微波接收机、发射机和测试设备中的一个重要组成部分，担任着信号选择、分离和组合的重要任务，在通信和雷达中具有广泛的应用。研究了导体表面粗糙度对带通滤波器工作频率、插入损耗和带宽的影响。为了保证滤波器的质量和成品率，需要对基板导体层的表面粗糙度进行控制。