中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大的数值模拟

分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010～1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初步规律。数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好。     

辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析

研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况,并列表进行了对比;分析了暗电流受辐射增大的规律;分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象。初步确定了CCD敏感参数的辐射损伤阈值范围。     

用粒子模拟方法研究SG-III装置的腔体SGEMP

X射线照射金属腔体后,会在内部空间中发射出大量光电子,从而产生很强的系统电磁脉冲(SGEMP)。激光惯性约束聚变(ICF)装置内的X射线环境非常复杂,在靶室内工作的诊断设备即使有良好的电磁屏蔽,仍会面临严重的SGEMP干扰。以神光-III(SG-III)装置靶室内部的X射线环境为背景,采用时偏时域有限差分(FDTD)方法和粒子模拟(PIC)方法对二维圆柱腔体模型内部的SGEMP进行数值模拟。针对电磁场的振荡现象,在传统的粒子模拟算法基础上采用时偏方法进行滤波,去除了高频误差对计算的影响,结果更加准确。最后,得到的SG-III装置靶室内SGEMP干扰约为1.5 MV/m。     

单光子发射断层图像的人体衰减校正

本文论述了人体组织对γ射线的吸收给ＳＰＥＣＴ图像造成的影响，通过分析对比人体衰减的各种校正办法，提出了我们的新方法，采用偏置的线源和平行缝准直器，产生倾斜的扇形束投影，在同一台ＳＰＥＣＴ上获取透射型和发射型两种数据，从透射型数据重建出人体衰减系数的三维分布图。然后对发射型图像作精确的校正。     

大型物体前向康普顿散射成像的若干模拟计算结果

在现有的康普顿散射成像技术中，如何对大型物体进行成像的问题始终没有得到充分解决。曾提出利用小角度前向散射原理成像的方法，利用该方法进行了若干次模拟计算，并对结果进行了分析。     

基于Windows的辐射成像图像系统

介绍了一种基于ＭＳ－ＷｉｎｄｏｗｓＮＴ的新型辐射成像图像采集、处理和分析系统。其ＭＳ－ＷｉｎｄｏｗｓＮＴ的实时硬件驱动、局域网的数据库管理、以及优秀的人机交互界面具有独特之处。该系统也为今后信息系统（ＭＩＳ）和图像存档和通讯系统（ＰＡＣＳ）的发展奠定了良好的基础。     

能量权重图法快速核素识别

在序贯贝叶斯算法相关研究的基础上,提出了能量权重图法快速核素识别方法。基于探测器的实测能谱响应,通过并道、平滑等能谱预处理生成能量权重图,从而搭建Co处理器和Cs处理器以并行判别~(60)Co和~(137)Cs的放射源。针对能谱抽样生成的模拟数据进行处理器的参数调整,并在一套1 Gs/s(1 Gs=10~(-4) T)的数字化LaBr_3探测系统中开展了初步的实验验证。处理器平均使用不到100个光子就能实现核素识别,且虚警率低于2%,漏检率低于1%。     

非收尾Turbo码交织器的识别方法

提出了一种对非归零Turbo码交织器的识别方法。二元域上某类有理式的级数展开具有周期性,从而可知,在同一个周期点上,来自信息序列上2个比特与相应交织位上的2个比特之和为0,进而可得到一种识别方法：第1步恢复出2个交织位置,此后每步恢复1个位置。根据周期长度的不同,算法被分成若干条并行链路,链路数即为周期长度。     

强脉冲电场测量技术研究

强脉冲电场测量技术在强流加速器系统电磁兼容设计、核电磁脉冲（NEMP）测量、雷电电磁脉冲（LEMP）效应研究以及高压输电线、大功率开关的电磁辐射澳0量中起着关键的作用,测量结果的有效性直接影响到理论研究和系统设计的正确性。本文系统地回顾了强脉冲电场测量技术的发展,对有源电光调制法和基于Pockels效应的无源电光调制法两种常用方法进行了详细的分析比较,说明测量系统的研究正朝着提高稳定性、探头微小化、探头无源化、提高带宽、提升灵敏度、后端信号处理便捷、系统维护方便、容易实施标准化测量等方向发展;文章还对测量实践中的屏蔽、信号区分以及获取特征量等具体方法和技巧作了研究,为强脉冲电场的准确测量打下基础。