反应离化团束（RICB）法生长CN硬质薄膜

用反应离化团束（ＲＩＣＢ）法，以低分子量聚乙烯为蒸发材料，氨气为反应气体，在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１００）衬底上淀积Ｃ－Ｎ薄膜，透射电子衍射（ＴＥＭ）分析表明薄膜中含有β－Ｃ３Ｎ４晶粒，Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和红外吸收谱（ＩＲ）表明存在Ｃ，Ｎ原子的化学键合。     

Cu—Ag、Fe—Cr和Fe—Ti系离子束混合

本文研究了Cu—Ag及Fe—Ti系多层膜和Fe—Cr及Fe—Ti系单层膜的低温(LN_2)离子束混合。用掠射X线衍射和透射电镜测定了多层膜混合样品的结构和亚稳相的热稳定性。结果表明,Cu—Ag及Fe—Ti系混合膜分别是单相亚稳的面心立方和体心立方固溶体,固溶体的点阵常数随成分近似成直线     

ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究

用ＩＣＢ外延技术在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣｄＴｅ单晶薄膜．Ｘ光衍射、电子背散射通道及ＲＨＥＥＤ都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面．外延取向关系为ＣｄＴｅ（１００）／ＮａＣｌ（１００）和ＣｄＴｅ（１１１）／Ｓｉ（１１１）．实验发现，生长温度小于２３０℃时，外延膜呈闪锌矿（立方）和钎锌矿（六方）的混合相结构．薄膜生长体现出团粒束淀积的规律，即随着团粒能量的增大，ＣｄＴｅ外延膜的结晶质量显著提高．在Ｓｉ衬底上，外延得到的最好的ＣｄＴｅ膜，其双晶衍射摆动曲线半高宽为１１弧分左右．     

离化原子群束(ICB)外延CdTe薄膜的研究

一、引言1972年,日本京都大学Takagi和Yamada等人提出一种新型的离子源,发明了离化原子群束(Ionized cluster beams)外延技术。ICB外延是一种非平衡条件下的真空蒸发和离子束方法相结合的薄膜淀积新工艺。它具有三个主要特点:1.离化原子群的荷质比小,能在低能量获得高的淀积速率;2.容易控制离化原子群的能量和离子含量,可     

淀积大晶粒Pb膜的研究

一、引言作为集成电路和太阳能电池电极引线的金属化薄膜必须具有较好的抗电迁移性能,使金属/半导体界面保持较低的接触电阻和较好的接触稳定性。减弱迁移的途径之一是增大薄膜晶粒尺寸和取向度,减少晶界短路通道,并减弱原子在晶粒内平行密排面方向     

离子束溅射制备Co/Pt多层膜的结构和磁性

采用离子束溅射技术制备了Co／Pt多层膜，并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度（tCo）或Pt层厚度（tPt）的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的（002）织构，Pt层表现出fcc结构的（111）织构。当Co层和Pt层都比较薄时，界面有Co-Pt的化合物形成。当tPt=2．4nm而tCo在0．6～2．4nm变化时，样品的磁矫顽力（Hc）随tCo增加而下降，饱和磁化强度（Ms）随tCo增加而增加。当tCo=1．2nm而tPt在1．2～4．8nm变化时，Hc呈现先升后降的变化，Ms随tPt增大而减小。样品的Hc还受调制周期（D）和周期数ny的影响，通过对Co层和Pt层的厚度比、调制周期、周期数的设计，可以获得较大的磁矫顽力。     

In-Se及Zn-In-Se薄膜的结构转变和光吸收

本文报道了蒸镀In-Se系统半导体薄膜的非晶态—晶态转变特性与成分的关系,测定了薄膜的光吸收谱及光学能隙。     

在GaAs(100)衬底上离化团束外延ZnSe单晶薄膜

ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料，用于制作发光器件有较大的应用前景，采用单源喷发、离化原子团束（ICB）技术在GaAs（100）上外延ZnSe单晶薄膜，并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。研究了淀积能量和衬底温度对薄膜质量的影响。得到了摆动曲线半高宽为133rad·s，并具有原子水平平整程度的ZnSe（100）单晶薄膜。外延薄膜存在0．2～0．4μm的应变过渡层，过渡层随淀积能量的增大而变薄。     

ICB方法外延CdTe单晶薄膜

用ICB外延技术在NaCl解理面和(100)GaAs衬底上外延的CdTe单晶薄膜,以透射电子衍射及RHEED分析,都表明获得了好的单晶结构及平滑膜面。外延取向关系为:GdTe(100)//NaCl(100);当衬底预处理温度为480℃时,CdTe(100)//GaAs(100);当预处理温度为580℃时,CdTe(100) (111)//GaAs(100)。实验发现,当坩埚内CdTe蒸气压足够高时,薄膜生长体现出团粒束淀积所特有的规律,即随着团粒能量的增大,CdTe外延膜的结构质量显著改善。在CaAs衬底上外延所得的最好的CdTe膜,其双晶衍射摆动曲线半高宽为630arc,