可膨胀石墨及其制品的应用及发展趋势

本文系统地介绍了可膨胀石墨及其制品的特殊性能（包括物理性能和化学性能），总结了可膨胀石墨及其制品在多种领域的应用，指出了该行业当前存在的问题及发展趋势。     

SiC新一代电力电子学的创新发展(续)

4 高温工作 由于SiC功率器件具有更高的击穿电压、工作温度和热导率以及更低的开关和导通损耗等优点,可以突破Si IGBT的最高结温175℃的限制,可满足电子产品在高温下可靠工作的要求,适用于汽车、工业、空间及航空电子设备、内燃机、智能推进系统和地热勘探等领域.     

微机械圆盘谐振器的仿真分析及等效电路

通过对径向振动圆盘的机械振动方程进行分析,将机械振动的分散参数集总化,提取出机械集总参量并通过机电类比的方法将集总化的机械参量类比成电参量,建立起径向振动微机械谐振器的电参数模型。利用ANSYS软件对径向振动盘式微机械谐振器进行模拟,提取出谐振频率和振动位移,并以此为基础计算出等效质量及阻尼和刚度的数值,进而通过机电耦合系数求出电参数值。以所提取的电参数为依据,分析了谐振器的结构对谐振器的等效阻抗的影响。谐振器的等效电路及分析结果将成为后续结构和驱动电路设计的出发点。     

微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展

综述了近几年微波、毫米波氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)与单片微波集成电路(MMIC)在高效率、宽频带、高功率和先进热管理等方面的应用创新进展.介绍了基于GaN HEMT器件所具有的高功率密度和高击穿电压,采用波形工程原理设计的各类开关模式的高效率功率放大器,以及基于GaN HEMT器件的高功率密度、高阻抗的特点与先进的宽带拓扑电路和功率合成技术相结合的宽频带和高功率放大器.详细介绍了微波高端和毫米波段的高效率、宽频带和高功率放大器,多功能电路和多功能集成的GaN MMIC.最后阐述了由于GaN HEMT的功率密度是其他半导体器件的数倍,其先进热管理的创新研究也成为热点.     

典型MEMS和可穿戴传感技术的新发展(续)

2可穿戴传感技术带动MEMS集成技术进一步发展的重要的应用技术是可穿戴传感技术。由各类MEMS传感器和处理电路集成在一起形成可穿戴传感器件,它们通常被戴在手腕、上臂、胸部和头部,用来测量佩戴者的运动位置(GPS)、皮肤温度、皮肤电导等,然后使用这些数据来估计热量燃烧、距离和旅行路线以及睡眠效率等。佩戴者通常从他们的可穿戴器件中将数据上传到网站,保存、分析并显示出来,     

铀铌合金在水溶液中的电化学腐蚀行为

采用电化学方法研究了铀铌合金在 50 μg/ gCl- ,2mol/LH2 SO4和 1mol/LNaOH介质中的电化学腐蚀行为 ,并用X射线光电子能谱 (XPS)分析了电化学腐蚀产物的组成和价态。结果表明 ,铀铌合金的电化学腐蚀行为与溶液的 pH值关系极大 ,铀铌合金电化学腐蚀后表面总是存在合金组分铌的富集。     

基于微机械圆盘谐振器的振荡器

基于微机械谐振器的硅振荡器是微波通信系统中的关键器件。制作了工作于径向体声学振动模态的微机械谐振器,通过分析微机械谐振器的电参数,并以此谐振器为基础进行振荡器的设计。针对圆盘形微机械谐振器工作过程中阻抗较大的问题,通过多级放大来补偿信号经过谐振器时引起的衰减和相位变化。振荡器包括两部分放大电路,基本振荡回路的多级放大保证振荡器正常起振,输出多级放大保证振荡器的输出达到一定的功率。所设计的振荡器阻抗44kΩ,振荡频率143.33MHz,为大阻抗条件下振荡器的设计提供一定的参考。     

二维翻转结构9/7离散小波逆变换研究与VLSI实现

采用提升结构的二维9/7离散小波逆变换模块是高清图像解码显示和实时处理的关键支撑技术。为实现电路模块的整体优化,在提升结构二维9/7离散小波逆变换标准算法的研究基础上,通过分析图像数据的输入输出顺序,结合器件模型提出一种翻转结构的优化算法。进一步地,给出了所提算法的一种多核并行VLSI结构：通过流水线技术将关键路径降为一级乘法器延迟;通过重组织数据流,处理N×N大小的图像仅需4N的中间缓存,从而在提升该模块速率的同时降低了中间缓存。基于Sparten6-xc6slx150t FPGA进行综合验证,结果表明该模块可稳定运行于166.34 MHz时钟速率。     

21世纪初微电子技术发展展望

综述了微电子领域中纳米技术，ＭＥＭＳ，Ｓｉ和ＧａＡｓ集成电路，微波／毫米波器件及宽禁带半导体技术目前的发展状况。在此基础上，对其在２１世纪初期的发展做了展望。