制作短沟道硅MESFET的自对准工艺

不久以前,国外报导了一种制作短沟道硅MESFET(金属半导体场效应晶体管)的自对准工艺方法,用此方法制得的MESFET的栅长为0.2μm,源漏n~+区的间距为1.2μm.实现了除衬底的给电容外的主要寄生元件都很小的短沟道FET.这个制作方法采用电子束曝光法使栅长缩短到亚微米,其关键是利用     

具有非饱和三极管特性的新型场效应晶体管

目前,显示出电压增加而电流不饱和的真空三极管全新特性的场效应晶体管,由于其特性新颖和优越,不仅适用于高频领域,而且开始向功率机器和高频机器等领域发展。其特点大致归纳如下: (1)没有显示出以前的场效应晶体管那样的所谓饱和的五极管特性,而给出了非饱和的特性或三极管特性。因此,以前的场效应晶体管为恒流型器件,而这种新的场效应晶体管为恒压型器件。     

各种器件在超高频范围内的应用

超高频波段可能成为电磁波频谱的最重要部分。超高频波段具有那些其他波段所没有的特点呢?首先,这个波段(3～30千兆赫)提供的信息容量为全部低频段给出的总信息容量的九倍,而且仍在可实现的大功率传输范围之内。     

Y3MgAl3SiO12:Dy 3+,Eu 3+荧光粉的能量传递与暖白光实现

采用高温固相法合成了Dy ³⁺、Eu ³⁺共掺杂Y₃MgAl₃SiO₁₂石榴石型荧光粉。采用XRD、荧光光谱仪等仪器对样品的结构以及光谱特性进行表征,探究了Dy ³⁺/Eu ³⁺在Y₃MgAl₃SiO₁₂基质结构中的光谱特征以及离子间的能量传递机制。在367 nm近紫外光激发下,Y₃MgAl₃SiO₁₂:Dy ³⁺,Eu ³⁺的发射光谱包含Dy ³⁺的6F9/2到6H15/2和6H13/2的电子跃迁特征发射(487 nm蓝光和592 nm黄光)和Eu ³⁺的5D0 7F2 and 5D0 7F4特征发射峰(616 nm和710 nm红光)。在400~500 nm范围内Dy ³⁺发射谱与Eu ³⁺激发谱重叠,表明Dy ³⁺与Eu ³⁺之间存在着能量传递,能量传递的机理为电四极-电四极相互作用。该荧光粉通过调整Dy ³⁺和Eu ³⁺的掺杂浓度比封装近紫外LED芯片,可以实现单基质暖白光LED照明。     

川东五百梯地区石炭系储集层裂缝分布规律

根据野外地面裂缝调查、岩心裂缝观察描述及测井裂缝识别,指出川东五百梯气田致密储集层主要是受局部构造控制的构造缝。结合实验分析认为,岩石物性、岩石本身的力学性质及构造变形应力场强度是控制其裂缝发育的主要地质因素。研究区的裂缝可以划分为成岩微裂隙、风化裂隙和构造裂缝3种类型。根据研究区实际地质情况,采用构造应力模拟方法,对研究区构造裂缝发育进行了初步评价。     

7GHz共漏GaAs FET稳定振荡器

研究并试制了共漏GaAsFET稳定振荡器,该振荡器电路结构简单,容易封装。文中给出了振荡器的大信号设计方法及主振器与介质谐振器的耦合方法,说明了所制得的共漏GaAsFET稳定振荡器的振荡特性、振荡频率调谐特性及温度特性,调频噪声特性等。     

寄生电感对微波静电感应晶体管功率增益影响的等效电路分析

研究了微波静电感应晶体管(SIT)中源电感对功率增益的影响。人们一般认为晶体管的高频特性受管壳的影响,但关于管壳的分析还没怎么进行。首先由 SIT 的结构和工作原理确定其高频等效电路,利用由静态特性得出的器件常数进行数值计算求出 S 参数值,并与试作的 SIT 的实测值进行比较,两者确实是很一致的。用这个等效电路对源电感对功率增益的频率特性的影响进行了数学分析。在稳定状态得到的最大增益的频率特性,在低频范围以3dB 倍频程下降,在高频范围以6dB 倍频程下降。若源电感变大,则从3dB 倍频程变到6dB 倍频程的频率下降,虽然低频的增益不变,但高频的增益降低,从而得出管壳设计的方向。另外,由于管壳的改进,1GHz 输出20W 时的增益由4dB 提高到5dB,证实了上述的解析结果是妥当的。     

具有小的沟道长宽比的结型场效应器件的特性

讨论了具有小的沟道长宽比的结型场效应器件的特性。这种器件的结与通常在场效应器件分析中所考虑的平行平面结有很大的不同。结耗尽区的扩展超过栅结未端是很重要的。为了计算包括近沟道末端的圆形栅几何形状在内的结耗尽区形状,发展了一种模型。此模型基本上是肖克莱的原始模型对于非平行栅结的引伸。几种沟道长宽比的结果表明,对于小的长宽此,其终端伏安特性与肖克莱的模型略有不同,对于大的长宽比则与肖克莱模型的结果一致。本模型与以前模型的主要不同点是:在电流饱和区域不存在沟道的完全夹断。同时也讨论了在沟道漏端附近载流子速度饱和的作用。对于具有小的沟道长宽比的器件,载流子速度的饱和大大的减小了漏电流的饱和值。速度饱和主要取决于与材料常数和器件尺寸有关的单一参数。     

新的硅外延生长法—两段外延生长技术

一、序言近年来,随着集成电路的发展和固体器件的高频化,要求硅外延片的生长层厚度要很薄,且在与基片的界面处杂质分布很徒。这样的片子,在高速变容二极管、双极集成电路、高频晶体管或以PIN二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管等为代表的微波二极管的制作中更是不可缺少。这些器件一般是在具有高浓度杂质的硅基片上或在掺杂了高浓度杂质的区域上生长具有低浓度杂质的硅外延层上制作的。一般,硅外延生长是利用调节掺杂气体的浓度或流量来控制杂质浓度。可是,在具有高浓度杂质的基片上生长具有低     

B-100型高压汽包水位在线保护计的二次仪表电子线路

本文介绍了一种适合于电厂锅炉高压汽包水位在线保护的新型核仪器,B—100型高压汽包水位保护计的二次仪表.文中概述了二次仪表中主要单元线路的功能和工作原理: