全文获取类型
收费全文 | 5228篇 |
免费 | 286篇 |
国内免费 | 240篇 |
学科分类
工业技术 | 5754篇 |
出版年
2024年 | 19篇 |
2023年 | 91篇 |
2022年 | 80篇 |
2021年 | 72篇 |
2020年 | 103篇 |
2019年 | 138篇 |
2018年 | 143篇 |
2017年 | 68篇 |
2016年 | 68篇 |
2015年 | 107篇 |
2014年 | 226篇 |
2013年 | 203篇 |
2012年 | 250篇 |
2011年 | 276篇 |
2010年 | 244篇 |
2009年 | 244篇 |
2008年 | 225篇 |
2007年 | 251篇 |
2006年 | 273篇 |
2005年 | 269篇 |
2004年 | 226篇 |
2003年 | 229篇 |
2002年 | 169篇 |
2001年 | 210篇 |
2000年 | 180篇 |
1999年 | 156篇 |
1998年 | 104篇 |
1997年 | 121篇 |
1996年 | 124篇 |
1995年 | 112篇 |
1994年 | 109篇 |
1993年 | 68篇 |
1992年 | 67篇 |
1991年 | 81篇 |
1990年 | 76篇 |
1989年 | 60篇 |
1988年 | 39篇 |
1987年 | 40篇 |
1986年 | 27篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 40篇 |
1983年 | 32篇 |
1982年 | 35篇 |
1981年 | 28篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 5篇 |
1978年 | 9篇 |
1974年 | 3篇 |
1958年 | 2篇 |
1956年 | 3篇 |
排序方式: 共有5754条查询结果,搜索用时 296 毫秒
1.
2.
本文针对电动汽车驱动用永磁同步电机进行设计仿真,通过使用ANSYS软件公司的Rmxprt以及Maxwell进行仿真,其中前期使用Rmxprt参数化设计,初步选择电机设计方案,之后使用Maxwell 2D对方案进行电磁场的分析,包括静态场、瞬态场分析,并对前期设计方案进行修正。再次修正设计方案,满足预期要求。 相似文献
3.
本文针对市面上常见金属眼镜架的主要成分,利用X射线荧光光谱进行无损检测,测定并分析其中主要成分,并对其进行分类总结。 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
9.
10.