H2S气体传感器的制备及性能研究

室温固相化学反应合成了ZnS,于马弗炉内600 ℃条件下烧结得到ZnO.用XRD和TG-DTA对产物进行了分析,用静态配气法测定了材料的气敏性.结果表明,在空气中598 ℃时ZnS被氧化成ZnO;ZnO气敏元件对H2S有较高的灵敏度.     

我国企业反倾销问题及应对策略分析

如何应对现阶段的反倾销问题，一直是我国对外贸易的重中之重，也是外贸企业亟待研究的重要问题。本文结合我国外贸企业面临的反倾销状况，分析了国外反倾销给我国外贸企业不良影响，并针对性地提出了一些切实可行的反倾销策略，以期对我国的外贸企业起到一定的借鉴和启发作用。     

关于建立中心城区地下管线信息系统的思考

各类地下管线是城市的“神经”和“血管”,如果没有完整准确的地下管线资料,城市规划设计和建设管理就会到处碰壁,寸步难行,甚至给社会经济和人民生命财产造成重大损失。     

热分解法制备纳米NdFeO3气敏材料的研究

以分析纯的K3[Fe（CN）6]和NdCl3为原料，利用室温固相反应法制备纳米NdFeO3的前驱体Nd[Fe（CN）6]，通过热分解前驱体得到气敏材料NdFeO3，用TG-DSC，XRD，TEM对产物进行了表征，并对其气敏性能进行了初步研究．结果表明：热分解法与溶胶-凝胶法相比可降低复合氧化物的生成温度及煅烧时间，形成的钙钛矿型NdFeO3粉体呈现圆柱状晶形，直径约为30nm，长度为40nm～50nm．用热分解法制得的NdFeO3气敏元件呈现P型半导体特性，对H2S气体具有一定的灵敏度．     

非掺杂半绝缘LFCGaAs中深施工主缺陷对注入硅激活率的影响

通过测量ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管的饱和漏－源电流分布研究了深施工主缺陷ＥＬ２对半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中注入硅激活率的影响,发现激活率随ＥＬ２浓度的增加而增加,讨论了ＥＬ２影响硅注入激活率的机理。     

低温固相反应合成Zn2SnO4及其气敏性能

以SnCl4·5H2O,Zn(NO3)2·6H2O和NaOH为原料,用低温固相反应法合成尖晶石型复合氧化物Zn2SnO4纳米晶体.用X射线衍射、透射电镜表征粉末的晶体结构和形态.结果表明:固相反应完全,合成的前躯体经600℃煅烧1 h后可以得到单相的Zn2SnO4粉体,颗粒形状为球形,平均粒径约为50 nm.将合成样品制成烧结型旁热式气敏元件,测试了元件的敏感特性.气敏测试结果表明:尖晶石型复合氧化物Zn2SnO4为n型半导体气敏材料,在工作电压为5.0 V时,材料对浓度为30μL/L的H2S有较高的灵敏度,其灵敏度高达75倍.     

试析原油集输地面工艺流程模式

随着我国油田的二次勘探,对原有集输地面工艺流程也有了更高的要求,单井原油的含水量不断升高,大量的油井不需要加热便可以直接输送,有的油田对油温较低的油田安装了加热器,这样就可以直接对低温的原油进行加温,目前,我国很多油田都已经实现了油田的二次注水开采,地面原油的集输流程也变得越来越复杂,本文对原油集输地面工艺流程模式做了具体的阐述。     

非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响

通过测量GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的饱和漏-源电流分布研究了深施主缺陷EL     

一种多通道自动扫描A/D转换模块的设计

A/D转换模块用于扩展CompactPCI计算机系统的数据采集功能;该模块通过CompactPCI总线与主机通讯,通过AD7612实现750ksps、16Bit的模拟/数字转换,完成数据采集功能;在设计上采用CPLD、FIFO和RAM实现多通道的自动扫描,提高了模块数据采集的智能化设计;采用磁隔离器件实现A/D转换的数据和控制信号的隔离,提高了数据采集的精度;该模块已经在产品上应用,性能稳定。     

信号噪声干扰处理的两种方法

在数字采集系统中,保证模拟信号的低噪声和采集信号的真实性是影响整个系统准确性的主要技术.一方面采取隔离措施来抑制噪声干扰提高系统的可靠性是比较理想的解决措施;另一方面通过在信号输入前端加有源滤波电路能有效地滤除额外频率信号的噪声干扰.