响应面法优化两歧双歧杆菌益生元类冻干保护剂

以两歧双歧杆菌（Bifidobacterium bifidum）为试验菌株,以冻干存活率为评价指标,采用中心组合试验设计对两歧双歧杆菌益生元类冻干保护剂进行优化。结果显示,益生元类冻干保护剂的优化配方为菊糖13%,水苏糖11%,低聚木糖7%,经重复试验验证后的冻干存活率是（88.7±1.3）%,与预测值无显著性差异（P＞0.05）,这说明采用响应面法优化两歧双歧杆菌冻干保护剂是可行的。     

正方形介质柱光子晶体波导中的慢光研究

研究了二维正方形介质柱光子晶体线缺陷波导中慢光的传输特性.采用平面波展开法探讨了缺陷波导中缺陷处介质柱尺寸和波导宽度的变化对群速度所产生的影响.数值分析表明,增大缺陷处介质柱边长或减小波导宽度都会使群速度有效降低.结合两种方法对缺陷波导进行优化后得到了群速度最大值低于0.071c、色散大小位于10^5量级、对光局域性更好的慢光波导结构.     

含能材料HMX-2F的性能研究

用密度泛函理论对HMX-2F分子和晶体进行计算,HMX-2F与HMX相比,发现HMX-2F电子结构有所变化,具有较高撞击感度。其晶体能带结构和态密度变化较小,预示它们具有相近的电火花感度。此外,HMX-2F具有较大的能量、密度和爆轰性能,预示其是一种潜在的综合性能良好的含能材料。     

钛氚化物中氦迁移能的第一原理研究

应用第一原理方法研究了时效初期氦原子在理想的钛氚化物(TiT2)中的迁移行为。计算结果显示氦的迁移能是1.07eV,比氦自身的反冲能(1.03eV)大,因此氦原子很难迁移,从而很好地解释了氦在时效初期不溢出氚化物以及时效后期金属氚化物中出现氦泡的实验现象。以迁移能为基础建立的固氦标准比以位置择优取向能为基础建立的固氦标准更合理。     

有限温度下介观LC电路中的量子涨落

在有限温度下,介观电路系统实际上并不处在一个确定的量子状态,而是处在混合态.利用量子正则系综理论研究了介观LC电路在混合态下电荷和电流的量子涨落.结果表明,有限温度下介观LC电路中的量子涨落不仅与电路器件参数有关,而且与温度也有关.温度越高,电路中的量子涨落越大.该方法较热场动力学(TFD)方法更易于理解和应用.由于实际的介观电路总是处在有限温度下,所以其结论对控制介观电路中的量子涨落有一定的实际意义.     

相干态下介观RLC回路中的量子涨落

利用正则变换将介观RLC回路量子化．定义了回路的相干态，并计算了在相干态下回路中电荷、电流的涨落，得到一些有意义的结果．     

势模型理论下离子激发能级的相对论修正

在高电离态类H离子新势函数模型基础上,对离子激发态能级进行了相对论修正,对类H氖的软X射线谱进行了计算,结果与实验值吻合较好。     

外压调制下ZnO晶体结构与光学性质变化特性的研究

为了研究外压调制对半导体材料ZnO晶体结构和光学性质的影响，利用基于局域密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波超软赝势方法，采用第一性原理对不同外压条件下ZnO晶体的晶格常数、介电函数、复数折射率、吸收系数、反射率等的变化特性进行了模拟分析。计算结果表明：随着压力的增大，晶格常数、晶胞体积缓慢变小，内坐标u值逐渐增大，Zn-O键长缩短，共价性增强，带隙Eg明显展宽。光谱曲线图显示压力对低能段光学性质的影响并不明显，而在高能段，随着压力的增大其光谱发生明显的蓝移。