高速铁路绝缘块耐环境能力的研究

铁路扣件系统是将钢轨固定在轨枕上,阻止钢轨相对于轨枕发生横纵向移动,保持轨距,在高速铁路运行过程中起到缓冲减震作用的系统。经过长期使用及列车的运行,有些尼龙产品扣件存在不同程度的损坏,产生松动现象,进而影响铁路运行安全。以扣件系统中的绝缘轨距块为研究对象,从环境及气候等多种因素研究其对轨距块性能的影响,找寻较为关键的影响因素。研究结果发现,室外环境放置的轨距块极限剪切性能下降更明显,耐冲击性更差。经过研究不同恶劣环境下轨距块性能的变化,发现高温高湿及高温环境下产品性能下降幅度较大,其中高温高湿影响最大。     

微分求积法求解梁的位移方程

分析了功能梯度梁的变形问题,在简单介绍微分求积法基本原理的基础上,进行了数值计算给出了精确解,并将获得的结果与现有解进行了比较,验证了计算方法的有效性。研究了不同边界条件和节点个数对功能梯度梁弯曲的影响。     

利用四氯化硅制备二氧化硅粉体的研究

以多晶硅副产物四氯化硅和硅酸钠为硅源,以低浓度的非离子表面活性剂聚乙二醇和无水乙醇为添加剂成功合成了二氧化硅粉体。讨论了硅酸钠浓度、反应温度和表面活性剂的加入对二氧化硅颗粒粒径和形貌的影响。利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、Fourier红外光谱仪、X射线粉末衍射仪、激光粒度分析仪等测试工具对所制备的二氧化硅的结构、粒径、表观形貌进行了测试与表征。结果表明：在最佳试验条件下,可制得平均粒径为150nm的二氧化硅粉体;非离子表面活性剂的加入可使二氧化硅颗粒分散均匀;二氧化硅颗粒粒径随硅酸钠浓度的增大而增大,故控制硅酸钠的浓度是本实验的关键。     

黄桃表面缺陷和可溶性固形物光谱同时在线检测

表面缺陷和可溶性固形物是评价黄桃品质的重要指标,采用可见/近红外漫透射光谱技术,探讨黄桃表面缺陷与可溶性固形物同时在线检测的可行性。在运动速度为5个/s、积分时间100 ms、光照强度1 000 W的条件下采集黄桃表面缺陷果与正常果的近红外漫透射光谱。对比分析了同一个黄桃样品损伤前后的光谱特征,建立了黄桃的最小二乘支持向相机判别模型与偏最小二乘判别模型。同时建立了黄桃可溶性固形物偏最小二乘回归模型并采用连续投影算法对模型进行优化,研究了表面缺陷果对黄桃可溶性固形物检测模型精度的影响,最终实现了黄桃表面缺陷与可溶性固形物同时在线检测。采用未参与建模的样品来评价模型的在线分选的准确性,其中表面缺陷果的正确判断率为100%,可溶性固形物分选准确率达到93%。试验结果表明:黄桃表面缺陷与可溶性固形物同时在线检测是可行的,研究可为黄桃在线分选提供技术参考和理论依据。     

穿断层组岩巷围岩变形及控制技术研究

以任楼矿中六运输大巷掘进过F_2断层组为背景,采用FLAC~(3D)有限差分程序,分析了断层结构下巷道掘进应力场分布变化规律与不同位置处巷道变形破坏特征,提出了"下盘控顶、上盘控帮、底板反拱"的支护方式,并在现场成功进行了工业性试验。研究结果表明:F_2断层组附近存在明显的垂直应力增高区;断层构造对巷道变形破坏的影响范围为10~20m,确定加强支护范围为F_2断层构造带前后60m;在当前地质状况下,F_2断层上盘巷道围岩变形大于F_2断层下盘段并且两断层上下盘破坏影响区没有明显相互作用。     

西水源：永远不做第二名

过硬的工作作风和出色的基层管理背后，闪耀着看似“争强好胜”的西水源干部和工人高度的责任心。     

"新时期弘扬大庆精神、铁人精神"系列报道之④西水源:永远不做第二名

过硬的工作作风和出色的基层管理背后,闪耀着看似“争强好胜”的西水源干部和工人高度的责任心。在大庆油田,供水公司西水源非常有名:——它以管理严细、标准高著称。——它争强好胜,“事情无论大小,要干就干最好”,永远不做第二名。——它是大庆油田最老的水源站,赫赫有名的老典型,1960年荣获大庆会战“百面红旗单位”称号;它又是一个处处散发蓬勃朝气、时时展现“我本年轻”的地方,2003     

四氯化硅的应用现状研究

综述了四氯化硅的主要处理方法和应用研究进展。详细介绍了四氯化硅在制备二氧化硅、多晶硅、三氯硅烷及其他硅烷产品方面的应用及其制备原理,并对各制备工艺技术进行了分析。     

PP-g-Si熔融接枝工艺对接枝率的影响

以聚丙烯(PP)为基体,γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(KH570)为接枝单体,过氧化二异丙苯为引发剂,通过熔融接枝法制备了硅烷接枝PP(PP-g-Si)大分子相容剂,采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)仪对PP-g-Si进行了表征,并从定性及定量分析两方面讨论了KH570在PP上的接枝效果,研究了挤出温度和螺杆转速对PP-g-Si接枝率的影响。结果表明,KH570以侧链的形式成功接枝到PP分子链上;挤出温度和螺杆转速对PP-g-Si接枝率的影响较为复杂,总体上高螺杆转速下PP-g-Si的接枝率较高,当螺杆转速为140 r/min时,挤出温度为170℃的接枝率最高,而其它螺杆转速下,挤出温度为180℃的接枝率最高;PP-g-Si的最优制备工艺条件为挤出温度180℃、螺杆转速120 r/min或挤出温度170℃、螺杆转速140 r/min。