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采用淬火技术和酸洗络合技术提纯多晶硅。采用ICP测试多晶硅纯度,采用XRD、红外光谱、拉曼光谱、扫描显微镜、扫描电镜和能谱技术分析淬火对多晶硅提纯的催化机理,结果表明:1)淬火能减弱多晶硅杂质元素与硅之间的键能和键力,使多晶硅晶体出现缺陷和缩小硅体晶面间距;2)多晶硅杂质相主要由非晶金属氧化物或金属硅化物构成;3)采用酸洗络合技术和二次凝固技术可使多晶硅中B的移除率达到90%,同时其他金属杂质的移除率均在55%以上,提纯硅的纯度基本满足太阳电池的需求。 相似文献
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对58 Ni(n,p)反应道的实验数据进行了收集、分析和评价,给出了20 MeV以下的实验数据评价截面和协方差矩阵,为最终给出推荐的58 Ni(n,p)截面数据和高可信度的协方差数据提供了基础。 相似文献
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