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大排田岩体位于粤北澜河铀矿集区内,对研究区内大排田岩体粗中粒斑状黑云母花岗岩进行了详细的岩相学和地球化学分析,以探讨其岩石成因、岩浆源区及与铀成矿的关系。结果表明,大排田岩体中粗粒斑状黑云母花岗岩具有高SiO2(73.6%~76.5%),富Al2O3(12.4%~13.5%)、富碱(K2O=5.21%~5.63%,Na2O=2.44%~2.76%),且钾大于钠,贫MgO(0.23%~0.52 %)、铝饱和指数(A/CNK)为1.30~1.56,FeOt/MgO为3.21~6.61,属于高钾钙碱性过铝质花岗岩。大排田岩体微量元素显示了Rb、Th、U、Ta相对富集, Ba、Nb、Sr等元素相对亏损特征。稀土元素配分模式总体呈右倾型,轻重稀土分馏明显,轻稀土相对富集(112×10-6~245×10-6),重稀土相对亏损(26.7×10-6~53.3×10-6),Eu显示了负异常特征。上述地球化学特征指示其具有A2型花岗岩特征。推测其形成于拉张构造背景下,由变泥质沉积岩发生部分熔融形成的。 相似文献
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集成电路中用等离子体刻Al已经日益重要,为了满足VLSI工艺所需要的精确控制,要对刻蚀过程进行监控.使用含氯的刻蚀气体时,由于ALCI分子中电子跃迁的结果,可以观测到很强的波长为261.4毫微米的发射谱线,可以通过这种发射谱线的强度变化来监控剜蚀过程.本文介绍光谱仪和一种简单的固体检测器的应用,检测器是和干涉滤光器连在一起的,光的发射和反射技术都可用来检测等离子体刻Al的终点. 相似文献
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用体积负载型装置研究了在OF~4 4%0_2等离子体中Si和多晶硅的刻速均匀性,理论研究和实验结果表明,硅和多晶硅在OF_4 4%0_2等离子体中的刻蚀过程是个受扩散限制的过程,用金属环来控制垂直于基片表面方向的游离基的扩散,可以使整个基片上的刻速很均匀. 相似文献
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本文叙述关于用光学法自动测量集成电路和大规模集成电路用的掩模或基片上所形成的微细图形尺寸的方法.图1是利用放大的光学象测量掩模图形线宽方法之一例.掩模置于可沿x-y方向定位的工件台上,由透射光照明,要测的图形,经过显微镜光学系统放大成象,在成象面上,沿着图形线宽的测量方向放 相似文献
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本文综述了国外等离子体刻蚀技术的发展概况,对等离子体刻蚀的基本原理和反应动力学的问题作了比较详细的介绍和论述,对设备的设计考虑,包括磁控溅射等新的设计技术进行了介绍,同时还讨论了影响刻蚀图形精度的各种因素以及用于终点检测的各种方法,最后对刻蚀速率问题和刻蚀的选择性问题进行了分析,并且简单地介绍了半导体技术中某些常用材料的等离子体刻蚀. 相似文献
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