碳热还原法制备氮化硅粉体的反应过程分析

对以碳热还原法制备氮化硅粉体的ＳｉＯ２－Ｃ－Ｎ２系统进行化学反应热力学和动力学的分析，从而发现在氮气氛不足的条件下，这一系统的反应产物将由氮化硅变为碳化硅；在氮气充足的情况下，随着温度的升高，生成物中碳化硅的量也会逐步增加，这一分析结果通过实验得到了验证。     

工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响

以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。     

氮化硅基陶瓷连接技术的研究进展

陶瓷连接技术是结构陶瓷实用化的有效手段，焊料成分对连接体的性能具有决定性作用。本文主要从焊料成分选择的角度，总结了氮化硅基陶瓷连接技术的发展现状；并重点讨论了陶瓷／玻璃复合焊料在β-Sialon陶瓷连接中的应用。     

残余应力对TiC_p－AIN复合材料的影响

本工作采用热压工艺，以Ｙ＿２Ｏ＿３为烧结添加剂，在１８５０℃下制备ＴｉＣ＿ｐ－ＡＩＮ复合材料。结果表明：复合材料的密度、抗折强度、断裂韧性受第二相ＴｉＣ＿ｐ的影响，通过合理工艺因素选择，可以使复合材料的抗折强度和断裂韧性比基体ＡＩＮ材料分别提高４０％，８０％，达到４３８ＭＰａ，５．５９ＭＰａ·ｍ￣（１／２）。由ＸＲＤ内应力分析和ＴＥＭ显微结构测试结果可知，复合材料性能改善原因在于高弹性用量的ＴｉＣ引入以及ＡＩＮ和ＴｉＣ热膨胀系数不匹配导致的残余内应力。     

粒子弥散强化氮化硅基陶瓷

运用晶界工程理论，选择能形成高耐炎度晶界相的Ｙ２Ｏ３和Ｌａ２Ｏ３双稀土氧化物为Ｓｉ３Ｎ４陶瓷烧结助剂，材料具有优异的高温强度。第二相碳化硅粒子的引入有效地改善了氮化陶瓷的显微结构和力学性能。以无压烧结工艺制备的高性能α／β－Ｓｉａｌｏｎ复相陶瘊等在实际应用中获得良好效果。     

低层全装配式混凝土结构的实践探索

以东莞某创优示范项目配电房为例,对低层全装配式混凝土结构进行了实践探索。从设计、生产、施工的一体化,多元化预制构件的拆分应用、异形柱框架结构的节点等角度进行研究与实践,并提出了兼顾外观与室内净高的全预制上反下挂梁方案,运用BIM技术进行精细化建模指引构件深化设计、生产和施工,达到提高工程质量和施工效率的目的。     

公路绿化的作用和养护管理分析

本文介绍了公路绿化的范围和作用，分析了公路绿化存在问题，提出了养护管理措施，供大家参考。     

10kV电压互感器相电压不平衡的分析

分析了灞桥热电有限责任公司12号主变低压侧电压互感器三相对地电压不平衡的原因，并提出了相应的改进措施。