排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 312 毫秒
1
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
随着高速、高分辨率、全透明的显示技术不断发展,对全透明薄膜晶体管(Thin-Film Transistor, TFT)的电学和光学性能均提出了更高的要求。首先在玻璃衬底上制备了以非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide, a-IGZO)为有源层、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)为电极的全透明薄膜晶体管。并以低温环保的超临界流体技术进一步改善器件特性,超临界流体具有高溶解和高渗透性,可进入器件内部,修复材料中的断键,消除器件的缺陷,进而提升器件综合性能。实验结果表明,处理后器件的亚阈值摆幅从451.44 mV/dec下降至231.56 mV/dec,载流子迁移率从8.57 cm2·V-1·s-1增至10.46 cm2·V-1·s-1,电流开关比提升了一个数量级。此外,超临界处理后器件的光电应力稳定性和光学透明度均得到有效改善。 相似文献
1