首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   27篇
  免费   2篇
  国内免费   1篇
工业技术   30篇
  2023年   2篇
  2022年   2篇
  2021年   1篇
  2020年   2篇
  2018年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   3篇
  2013年   1篇
  2012年   2篇
  2011年   2篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   4篇
  2003年   1篇
  2000年   1篇
  1999年   1篇
  1998年   3篇
排序方式: 共有30条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1.
对钼精矿加工钼酸铵生产工艺流程进行了钼元素的查定,采用生产统计结合化学分析及物相鉴定方法,弄清各工序钼收率及影响其收率的因素,并根据查定结果对现有流程提出优化改进的建议。  相似文献   
2.
以大洋多金属结核为原料, 采用低温氢还原-湿法冶金联用工艺回收有价金属, 湿法冶金过程包括硫酸浸出、M5640萃取铜、针铁矿法除铁、P204萃取除锌、HBL110萃取回收镍。在HBL110萃取回收镍过程中, 考察了平衡pH值、相比O/A等因素对萃取镍的影响, 并绘制了镍萃取与反萃平衡等温线。结果表明, 采用50%HBL110+50%磺化煤油组成的有机相, 经过6级逆流萃取-4级逆流洗涤, 镍萃取率达99.85%, 除钴外, 杂质金属Mn、Ca、Mg、Al基本不被萃取。负载有机相经5级逆流反萃, 镍反萃率达98.53%。  相似文献   
3.
阐明了熔炼浸出法的基本原理和主要过程,概括了该方法的研究现状。并以试验为基础,论证了熔炼浸出的发展,即熔炼-锈蚀-萃取新工艺的可行性。  相似文献   
4.
熔炼浸出法处理大洋多金属结核研究现状及发展   总被引:3,自引:0,他引:3  
阐明了熔炼浸出法的基本原理和主要过程,概括了该方法的研究现状。并以试验为基础,论证了熔炼浸出的发展,即熔炼—锈蚀—萃取新工艺的可行性。  相似文献   
5.
采用水热法制备了Zn0.5Cd0.5S纳米片状光催化剂,并通过沉淀法原位负载Ni(OH)2,制备出光催化剂Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2。Zn0.5Cd0.5S异质结有着良好的光吸收性能,负载Ni(OH)2能为催化剂提供大量反应活性中心,有效减少了光生载流子的复合,能大幅度提高产氢速率。实验结果表明,当Ni(OH)2负载量为15%时,光催化剂产氢性能达到最佳,在可见光(λ≥420 nm)照射下,其平均产氢速率为44.46 mmol/(g·h),是未负载Ni(OH)2基体材料的5.3倍。  相似文献   
6.
铼主要伴生于铜钼矿中,铜冶炼过程铼随烟气进入污酸中,由于污酸成分复杂且铼含量低,目前从铜冶炼污酸中提取分离铼的生产实例较少.本文综述了近几年国内外铜冶炼污酸中铼的提取分离技术研究进展,并对铼提取工艺的发展趋势进行展望.  相似文献   
7.
硒提取工艺的研究现状及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了提取硒的主要原料,详细阐述了当前国内外硒提取工艺的研究和应用现状。分析了火法提硒和湿法提硒的特点,指出这两种提硒方法相比,湿法提硒具有能耗低、清洁环保、生产成本低等优点,将逐渐替代火法提硒工艺而成为硒提取的主导工艺。  相似文献   
8.
纳米氧化镍的超电容性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用柠檬酸盐凝胶热分解工艺制备了比表面积达181m2/g,一次粒子粒径在20nm以下,孔径分布集中在4~10nm之间的纳米氧化镍粉体,其超电容性是由双电层电容和法拉第准电容共同组成,比容量可达80~102F/g,工作电位窗达1.2V,并具有良好的循环稳定性和阻抗特性,这种材料可作为超级电容器的电极材料.  相似文献   
9.
采用碳酸钠氧压浸出工艺处理氨浸钼渣,研究了原料预处理、碳酸钠用量、氧分压、浸出液固比、时间、温度、搅拌速度对钼浸出率的影响。结果表明:在碳酸钠加入量为化学反应理论量2.3倍,液固比为3∶1,氧分压0.5 MPa,温度180℃,时间1 h,搅拌速度700 r/min的最佳工艺条件下,钼浸出率可达95%以上。  相似文献   
10.
采用锈蚀浸出工艺处理大洋锰结核和富钴结壳混合熔炼合金粉末,研究了氯离子浓度、盐酸加入量、添加剂铜离子浓度以及空气和氧气等对合金中钴镍铜等有价金属浸出的影响。在最佳锈蚀浸出条件下铜钴镍浸出率分别为96.39%,93.51%和95.20%,合金中大部分铁进入渣中。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号