高纯石英（SiO2）评述（三）:流体包裹体的分析、活化与分离

高纯石英著以杂质极少、纯度极高,现已广泛地应用于光纤通信、光伏、航空航天、半导体显示等高新技术产业。流体包裹体,一种来源于原生成矿流体,或是在后期地质作用中被石英捕获的流体,是石英中典型的流体杂质;特别是一些被包裹于石英晶体中的微小气、液包裹体,很难有效地被常规的选矿技术分离。本文详细地阐述了高纯石英中流体包裹体的基本特性,对流体包裹体的活化与分离技术现状进行概述;基于近年来我国高纯石英基础理论研究进展,并对我国高纯石英基础理论研究提出科学建议。      

串联制动电阻提高VSG的LVRT能力和功角稳定研究

虚拟同步机发电机(VSG)在短路故障期间存在输出电流幅值骤升和无法支撑并网公共点(PCC)电压等问题,甚至在严重的三相短路故障中可能出现功角失稳。为此,采用串联制动电阻提高VSG的低电压穿越(LVRT)能力及功角稳定性。通过电网电压、电流矢量图阐述串联制动电阻利用自身产生压降限制过电流和抬升PCC电压的原理,根据等面积定则分析了故障期间VSG功角变化特点以及串联制动电阻提高功角稳定的机理。给出了基于电网电压和转子转速的串联制动电阻双重投切判据,利用最大短路电流和线路传输最大功率计算出阻值的取值范围。最后通过仿真验证了串联制动电阻在限流、升压和维持功角稳定等方面的有效性。     

致密气藏分段多簇压裂水平井产能计算新方法

水平井分段压裂技术可有效改造致密油气藏,压后产能计算方法是一大研究难点。为更加快速有效地计算水平井压后产能,根据等效渗流理论,采用高渗透带表征复杂多簇缝网,利用平板流公式推导等效渗透率及高渗透带宽度的关系式;基于点汇离散法,应用位势理论和势的叠加原理,考虑裂缝间的相互干扰,建立致密气藏分段压裂水平井非稳态产能计算模型;以川西须5段页岩砂岩交互水平井分段多簇压裂为实例进行压后产能预测,半年后期稳产在2. 5×104m3/d左右。日产量模拟结果表明:高渗透带长度对低渗透致密气藏分段多簇压裂水平井产能影响最大,高渗透带条数次之,而高渗透带渗透率和间距对日产量影响相对较小;以累计产量为目标优选出高渗透带渗透率为40μm2,高渗透带半长为80～100 m,高渗透带条数为4条,间距为50 m。     

KDP晶体三倍频晶面微观力学行为及加工性能

为了揭示磷酸二氢钾(KDP)晶体三倍频晶面微观弹塑性力学行为及加工性能,开展了纳米压痕研究。建立了KDP晶体三倍频晶面各向异性力学模型,基于光滑粒子流体动力学(SPH)方法对纳米压痕进行了数值仿真并完成了纳米压痕测试实验。实验结果表明:实验与仿真计算的载荷-压入深度关系曲线的相关系数为0.996 328,吻合度较高,验证了力学模型的正确性,得出KDP晶体三倍频晶面的屈服强度为240MPa。数值仿真结果显示:由于材料的各向异性,工件内部应力呈不规则圆弧状分布;载荷大小与等效应力影响深度呈近似线性递增关系;材料表面等效塑性应变分布形状与压头投影面几何形状相类似,存在复映效果。当载荷小于2mN时,各压头的残余应力深度差异性较小(小于0.2μm);随着载荷逐渐增大,这种差异不断扩大。得到的结果为实现KDP晶体三倍频晶面的高效低损伤加工提供了理论支撑。     

谦比希铜矿中铜矿物的解离特性及其可浮性研究

矿物的单体解离是浮选分离的前提，查明矿石细度、目的矿物单体解离度和矿石可浮性三者之间的内在联系，可为浮选前物料的准备提供指导。为此，以赞比亚谦比希西矿体矿石为例，借助矿物解离分析系统（MLA），初步探讨了不同细度下有用矿物的解离特性与可浮性的关系。研究结果表明：谦比希铜矿中的主要铜矿物为黄铜矿，含量为5.32%，脉石矿物主要有正长石、石英和云母；原矿中黄铜矿属于以微细粒为主的不等粒嵌布，黄铜矿颗粒介于10~500 μm，且多数与长石和石英毗邻，部分细颗粒被包裹在粗颗粒的长石和云母中，仅有少量单体解离颗粒存在；将原矿磨至-74 μm占70%，黄铜矿的自由表面由60.88%升高至78.14%，单体解离颗粒含量由28.90%增加至54.24%，但连生体中铜矿物的分布规律没有改变；试验矿石浮选过程最有效的选别粒度为18~100 μm，粗颗粒中铜的损失是由于铜矿物单体解离度低，过细物料的损失则是因为物料可选性差。     

超声波频率追踪方法综述

超声振动系统的固有特征频率在工作过程中会随着温度和负载等因素的变化而变化.必须对变化的特征频率进行追踪,才能保证超声振动系统的稳定运行。频率追踪是超声波应用领域的技术难点和研究热点。对此,总结现有各种追踪超声波谐振频率的方法,并对每种方法的优缺点进行分析。通过对比分析,指出超声波频率追踪的未来发展方向。     

基于SPH方法的KDP晶体(001)晶面纳米压痕研究

为了避免有限元网格法在处理大变形问题时易发生网格畸变的缺陷,一种无网格仿真方法光滑粒子流体动力学（SPH）被引入。文章基于与应变率无关的弹塑性理论建立了KDP晶体材料本构模型。在KDP晶体(001)晶面上开展了基于SPH方法的纳米压痕仿真研究。仿真结果表明：加载过程中,最大Von Mises应力和最大塑性应变集中于压头尖部附近区域。Von Mises应力的分布形状类似于同心圆。卸载过程中晶体内部塑性变形分布未发现明显变化。卸载结束时最大等效应力分布在压痕及其棱边处。当最大加载载荷小于8mN时,发现了Von Mises应力影响深度与下压深度之间近似的正比例关系。此外,开展了KDP晶体(001)晶面纳米压痕的实验研究,验证了材料参数及修正后的应力-应变曲线的合理性,发现并分析了加工变质层对压头下压的阻碍作用。     

基于模糊测度的模糊分支时态逻辑模型检测

针对具有模糊性和不确定性的复杂系统的验证问题,提出一种基于模糊测度的模糊分支时态逻辑模型检测算法。首先,在模糊决策过程模型的基础上引入模糊分支时态逻辑的语法和语义。然后,给出模糊分支时态逻辑模型检测算法,该算法将模型检测问题转化为矩阵运算,具有计算方式简洁、复杂度较低的优点。最后,通过医疗专家系统的实例说明了该模型检测算法的有效性。     

大豆异黄酮功效及提取方法的研究进展

大豆异黄酮是一类具有重要价值且具有丰富生理活性的天然物质,在自然界中,主要从豆类农作物中提取得到该物质.近年来,大豆异黄酮被发现有重要的药用价值,主要与其抗氧化性、类雌性激素性等性状有关.基于此,文章梳理了大豆异黄酮的药用作用及提取方法的最新进展,并对其最佳提取条件分别进行了详细的列举,对其应用前景和未来研究重点作出了展望和预测,旨在提供有价值、有意义的参考.     

薄型化背光源顶白形成机理探讨及改善

介绍了背光源顶白不良,探讨了顶白的形成机理。研究发现表面光滑反射片对导光板网点间留白区域的挤压是产生顶白的根本原因。由此提出通过改善背板局部凸起高度和增加反射片粗糙度来改善顶白。结果表明:顶白发生率随背板局部凸起高度降低和反射片表面粗糙度增加而明显降低。控制模具凸棱厚度可调整回压量,进而降低背板局部凸起高度。模具凸棱厚度为0.05mm时,背板局部凸起高度均值由无回压时的0.21mm降低至0.11mm,加速试验条件下对应顶白发生率由50%降低至18.7%;涂布不同大小粒子可调整反射片表面粗糙度。当反射片涂布Bead粒子径为40μm,对应粗糙度为6.29μm时,并搭配段差回压后背板,改善后背光源在加速试验条件下无顶白发生。同时,经光学、老化及振动测试,改善后背光源未发现其它相关不良。