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PMOS管需要金属栅的功函数接近硅的价带边,所以寻找到合适的方法调节TiN的功函数使之正向移动是金属栅工程的重点,也是难点。本文详细研究了TiN金属栅的厚度,栅介质沉积后退火,氧引入,以及N含量变化对TiN功函数的影响。发现随着TiN的厚度变厚,功函数会正向移动,但是在某一个厚度会达到饱和,另外,在少量氧气氛围下的栅介质沉积后退火,也能使功函数正向移动,而在TiN中引入氧元素,以及增大N的含量都会使TiN的功函数正向漂移。以上所述方法都能有效的调节TiN的功函数来适应PMOS的需要。 相似文献
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热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段。系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO2/Si和HfO2/SiO2界面的界面电荷密度、HfO2的体电荷密度以及HfO2/SiO2界面的界面偶极子的数值。研究结果表明,在氨气和氧气氛围中退火会使HfO2/SiO2界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加,而SiO2/Si界面的界面电荷密度几乎不受退火影响。最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/HfO2/SiO2/Si电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的HfO2/SiO2界面的界面偶极子的增加。 相似文献
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2006年是双核的普及年,多核化趋势正在改变IT计算的面貌。跟传统的单核CPU相比,多核CPU带来了更强的并行处理能力、更高的计算密度和更低的时钟频率,并大大减少了散热和功耗。目前,在Intel、AMD、IBM、SUN等几大主要芯片厂商的产品线中,双核、四核甚 相似文献
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本文介绍了几种Java并发程序的单元测试策略,每种策略都有其各自的优缺点。可以肯定的是,MTC代表了未来并发单元测试的方向。 相似文献
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The effect of Al incorporation on the effective work function(EWF) of TiN metal gate was systematically investigated.Metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors with W/TiN/Al/TiN gate stacks were used to fulfill this purpose.Different thickness ratios of Al to TiN and different post metal annealing(PMA) conditions were employed.Significant shift of work function towards to Si conduction band was observed,which was suitable for NMOS and the magnitude of shift depends on the processing conditions. 相似文献
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计算机产业有个有趣的现象,每年发明的新概念甚至超过了新技术,这常常令人困惑。但是也有人不会有这样的困惑,他喜欢具有持久价值的东西,他就是本篇采访的被采访者Donald Knuth。 相似文献
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随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重。传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k)取代SiO2已成为必然趋势。综述了国内外对纳米尺度CMOS器件高k栅介质的等效氧化层厚度(EOT)控制技术的一些最新研究成果,并结合作者自身的工作介绍了EOT缩小的动因、方法和展望。 相似文献
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2.0时代的软件空前地活跃在人类生活的方方面面,从而带来了更多的计算量。因此2.0不可避免地对计算提出了新的需求、引发了新的思考,在这其中,多核带来的并行计算和并发编程无疑是最为深刻的一点。 相似文献