增长管理在我国城市规划中的应用研究

本文在前人工作的基础上将增长管理应用研究继续推进,指出增长管理工具是在保持发展与保护平衡的思想指导下,空间管制分区与法规、激励政策等保障措施的密切结合;分析增长管理在我国规划中的应用环境,在此基础上,从指导理念、空间管制和实施措施三个层次构建了增长管理的应用框架,并展望今后的应用研究重点与趋势.     

增长管理在我国城市规划中的应用研究

本文在前人工作的基础上将增长管理应用研究继续推进．指出增长管理工具是在保持发展与保护平衡的思想指导下，空间管制分区与法规、激励政策等保障措施的密切结合；分析增长管理在我国规划中的应用环境，在此基础上，从指导理念、空间管制和实施措施三个层次构建了增长管理的应用框架，并展望今后的应用研究重点与趋势。     

基于配套分级的城市新区公共设施规划研究

以安徽省无为县城东南片区为例,在建立三级公共设施配套体系的基础上,重点结合新区功能选择与居民需求调查,明确了新区公共设施级配要求,并结合新区用地布局予以空间落实,对类似地区开发建设具有一定指导意义。     

人文地理与城乡规划专业定位与特色课程体系研究——以南京邮电大学为例

人文地理与城乡规划专业是2012年教育部新设立的本科专业,文章从专业发展定位和社会人才需求两方面解读专业发展基本要求,结合南京邮电大学自身特色,从信息科学与地理学、规划学的结合点出发,指出以信息科学应用为特色的人文地理与城乡规划专业课程体系构建原则,进而从专业基础知识、特色知识两个模块,通识教育、专业教育两个层面架构专业课程体系初步框架,为相关院校该专业发展提供借鉴。     

纳米SiO2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理

采用电化学方法,研究了SiO2浆料pH值、H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n型半导体单晶硅片(100)和(111)晶面化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)去除速率的影响和作用机理.结果表明:抛光速率随SiO2固体含量、抛光转速及压力的增加而增大,随抛光时间的增加而减小;在pH值为10.5和H2O2为1%(体积分数)时,抛光速率出现最大值;相同抛光工艺条件下(100)晶面的抛光速率远大于(111)晶面.半导体硅片CMP过程是按照成膜(化学腐蚀作用)→去膜(机械磨削作用)→再成膜→再去膜的方式进行,直到最终全局平坦化.实验所获得适合n型半导体硅片CMP的优化工艺参数为:5%～10% SiO2(质量分数),pH=10.5,1%H2O2,压力为40 kPa及(110)晶面和(111)晶面的抛光转速分别为100 r/min和200 r/min;在该条件下10% SiO2浆料中抛光30 min得到的抛光硅片的表面粗糙度为0.7 nm左右.     

锆基包裹色料的研究现状及展望

综述了陶瓷工业中重要的锆基包裹色料及其包裹机理的国内外研究现状,概述了ZrSiO4-Cd(SxSe1-x)包裹色料的制备方法,分析了包裹色料固相法制备中所存在的问题,提出了解决问题的思考途径,并对包裹色料的前景进行了展望.     

从部门管理需求出发的社区规划探索——以无锡新吴区为例

由于学科差异及传统城市规划与社区管理主体——民政部门的深度衔接不足,社区规划常面临各种问题:价值理念差异导致的服务盲区、边界划分问题;对社区规律及部门管理需求认识不足引起的托管增负、配套不利、拆分与升级、归属感下降等问题。为了缓解上述问题、改进社区规划编制,从强化部门对接的角度提出两个探索:一是在规划编制的不同阶段强化部门间对接,二是在规划方法上呼应部门及社区需求,包括优化重点要素规划方法、采用差别化的近远期规划思路和绘制管理单元社区图则等,并以无锡市新吴区为例进行实证分析。     

离子束轰击诱导硅表面纳米结构和铁纳米条纹

研究了氩离子束轰击诱导硅表面自组装纳米结构和铁纳米条纹的形成规律.在单晶Si(100)表面水平放置直径为2mm的铁棒,采用3 keV氩离子束垂直轰击硅样品表面.扫描电镜观察表明:在金属铁棒周围由近及远,硅表面形成纳米条纹和纳米点阵,纳米条纹向纳米点阵的过渡形貌为链状纳米椭圆结构;并在铁棒区域自组装出金属铁纳米条纹.通过阻尼Kuramoto-Sivashinsky方程对离子束作用下固体表面纳米结构的形成机理进行了合理的诠释与讨论.