中国私家园林的历史变迁与原真性保护研究 ——以苏州怡园为例

中国私家园林（比如苏州等地的古 典园林）作为中国传统文化遗产不可或缺的组 成部分,对其保护的重要性是不言而喻的。然 而随着新中国的诞生,中国土地私有制的改 革与变迁,私家园林的所属及其性质发生了相 应的改变。很多私家园林作为公园对公众开 放后,园内景物也在发生着变迁。如何保护 好中国私家园林的原貌、延续古人造园时的 文化意境、传承前人留下的宝贵的文化遗产、 同时顺应其新的功能调整、实现新时代的发 展是我们应该重视的课题。苏州怡园是苏州 众多古典园林中建造较晚的一座,亦是吸取苏 州多园之长的园林,具有私家园林转变为公园 的普遍性与代表性。本文以苏州怡园为例,通 过2016年较为全面的测绘和调查所得到的较 为完善的怡园资料信息,包括对怡园最新平面 图进行绘制、统计怡园内的花木现存数量与情况等,并与历史文献中的怡园情况进行对比研究, 以刘敦桢先生的《苏州古典园林》为主要研究对象,总结归纳出怡园在布局、建筑、花木、山石上 的171处变化,针对变化之处推测分析背后的原因,追求地方文物遗产的真实性保护,为怡园的遗 产保护传承工作提出合理的建议,以期为中国其他私家园林遗产保护工作提供理论指导。     

浅析宋代山水画中园林建筑的构景特征

山水画既是古典园林造园的灵感源泉和创作蓝本,也是古典园林发展的真实记录。文章以宋代山水画中的建筑要素作为研究对象,从宋代山水画入手,探究宋代山水画中"建筑"作为构景要素的构景特征,从中找寻山水画"画理"与古典园林"园理"的异曲同工之妙。     

LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展

GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长,基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光效率降低,而沿非极性面生长的GaN外延膜可以改善或消除极化效应导致的辐射复合效率降低和发光波长蓝移等问题。文章总结了非极性GaN外延膜的制备技术及研究进展,包括平面外延技术和横向外延过生长技术,指出开发非极性GaN自支撑衬底、发展非极性GaN的横向外延生长技术是制备低位错密度非极性GaN的研究方向。     

职业成功的“人力资本—社会资本”理论研究

文章整合个体人力资本理论和社会资本理论,提出了职业成功的"人力资本—社会资本"理论,并提出职业成功的"人力资本—社会资本"四分法策略模型,增强了对职业成功的解释效力。     

[(BaTiO3)m/(SrTiO3)m]n超晶格生长的RHEED实时研究

利用反射高能电子衍射(RHEED)，研究了在SrTiO3(100)基片上采用激光分子束外延法生长的[(BaTiO3)m／(SrTiO3)m]n超晶格薄膜的生长特性。观察到清晰明亮的反射高能电子衍射花样及富有周期性的RHEED振荡曲线，制备的超晶格呈现良好的结晶层状外延生长，薄膜表面及界面的平整度很好。     

洛伦兹变换时间概念的错误

洛伦兹尺度变换与相对论红移不一致,其主要原因是洛伦兹变换中的时间概念的错误。时间概念产生于对两个以上事件的观察,而洛伦兹变换只观察了一个事件。观察两个以上事件,就会发现洛伦兹变换的矛盾,这种矛盾也反映出“物理规律不变”与“光速不变”两个假设之间的矛盾。     

Elastoplastic model for discontinuous shear deformation of deep rock mass

Deep rock mass possesses some unusual properties due to high earth stress,which further result in new problems that have not been well understood and explained up to date.In order to investigate the deformation mechanism,the complete deformation process of deep rock mass,with a great emphasis on local shear deformation stage,was analyzed in detail.The quasi continuous shear deformation of the deep rock mass is described by a combination of smooth functions:the averaged distribution of the original deformati...     

基于制造网格的虚拟企业组织变更与制造资源调度问题研究

为提高虚拟企业的组织和运营效率，引入网格技术，基于制造网格构建面向应用的虚拟企业架构。在虚拟企业环境下，根据制造资源不同的调度阶段，分别建立基于外网格的虚拟企业制造系统和基于内网格的成员企业制造子系统；提出以制造资源特征匹配为核心的虚拟企业分布式调度策略和成员企业本地调度策略。针对特征匹配过程，建立制造资源特征集，对每个特征集制订相应的匹配准则，以保证特征匹配的可行性，进而完成调度过程。最后，通过定制型人工关节产品开发实例，阐述了基于制造网格的虚拟企业组织和制造资源调度过程。     

熔断电阻器瞬态特性仿真分析

为了简单有效地改进熔断电阻器的性能,采用有限元分析软件ANSYS建立了熔断电阻器的模型,对其在过电流状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,并进行了实验验证。通过对熔断电阻器的热电耦合模拟,得到了不同电流下的熔断时间和温度分布云图。熔断时间的实验结果和模拟结果误差率为5%左右,这为熔断电阻器的设计和生产提供了方法和理论依据。     

ZnO基紫外光电探测材料研究

ZnO作为II-VI族直接宽禁带半导体材料,在室温下的禁带宽度约为3.37 eV,对应紫外波段的光子能量,且ZnO具有较高的化学和热稳定性,较强的抗辐射损伤能力,来源丰富,电子诱生缺陷较低等特点,适用于制备高性能的紫外探测器。而ZnO在掺杂后形成的合金可调节其禁带宽度,并与ZnO的晶格失配度及热膨胀系数差别较小,可构成量子阱或超晶格结构被广泛地应用于光电器件中,提高光电性能,所以相关的带隙工程的开展有利于推进实用的高性能的ZnO基光电器件的开发。尤其是对于ZnO基紫外探测器件,ZnO基三元合金具有可调控其探测波段到日盲区的特点,在此基础上所实现的紫外探测器在军事和民用领域具有广泛应用。基于此,笔者采用掺杂的方式调制ZnO的禁带宽度,使ZnO基三元合金材料的光学禁带宽度达到4.4 eV以上,获得可用于日盲紫外光波段探测的ZnO基光电探测器;同时,通过控制掺杂技术开发ZnO基异质复合结构,可应用于高性能的紫外光电发射探测器件。主要内容和创新性结果如下:1.采用溶胶–凝胶方法制备了Mg、Cd、Al掺杂的ZnO基三元合金薄膜,并对其微结构和光电性能进行研究,分析其掺杂效率和光学禁带调制效应,获得掺杂对ZnO薄膜禁带宽度调制的规律,并从不同元素掺杂引起Zn3d电子结合能变化的角度探讨了其禁带调制的机理。2.采用射频磁控溅射法制备AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,研究不同掺Al浓度对其微结构和光电性质的影响规律,研究表明:Al粒子数分数增大到20%会导致ZnO纤锌矿结构的消失,表明掺Al的固溶度在20%以内,而当掺Al粒子数分数达到30%则出现新的晶相;且随掺Al粒子数分数增加,薄膜中晶粒细化,电阻率大幅上升;通过改变Al组分可较大地展宽光学带隙,在Al粒子数分数为30%时带隙被展宽至4.43 eV。3.探讨氧气氛对AZO合金薄膜导电性的影响,并通过对其微结构和光电特性的研究发现:溅射过程中通入少量氧气有利于获得结晶质量较好的c轴择优取向薄膜;而纯氩气氛下溅射的薄膜具有很低的电阻率,拉曼测试和SEM分析表明其存在特殊的内建电场和c轴取向平行于膜面的晶粒;溅射过程中氧分压的增加会导致薄膜的绝缘性能增强;其透光谱显示光学吸收边发生明显蓝移。4.研究AZO合金薄膜的光电响应性能,结果表明:掺入Al可抑制ZnO薄膜中氧空位缺陷的形成,Al粒子数分数的增大使得薄膜的绝缘性能增强,有利于实现暗电流低的光电探测器件,提高其光暗电流比,尤其是可以抑制慢速的氧气吸附和解吸附反应,从而提高器件的响应速度。获得的快速响应的AZO探测器在紫外光照下显示出对称的非线性特征,即采用元件替代方法将光敏电阻应用于蔡氏电路时,在变型蔡氏电路中可产生三涡旋光电混沌吸引子。5.研究掺Al对AZO薄膜表面势垒和功函数的影响,通过对不同Al浓度AZO合金薄膜的C-V测试,获得其表面接触势垒高度随Al浓度增加而减小的规律;分别从理论计算和I-V-T测试拟合研究了5%粒子数分数掺Al对ZnO薄膜表面功函数的影响,两种方式获得的表面功函数值分别下降了0.090 eV和0.098 eV。以上研究结果表明掺Al使得AZO薄膜的费米能级上移至导带,从而形成较小的表面势垒,有利于电子从表面逸出。6.研究将AlxZn1-xO薄膜用于实现NEA紫外光电阴极,制作AZO阴极真空光电管,其光暗电流相差两个数量级以上。采用高导电AZO薄膜作为透明导电底电极,在其上诱导生长阳离子空位为主导的AZO纳米晶表面层,由以上掺杂调制技术获得的AZO异质复合结构阴极材料,因为底电极和阴极膜同属AZO材料体系,界面间结合紧密,并能有效实现能带调制,具有良好的紫外光电发射性能。在铯激活条件下的测试结果为:暗电流为0.2 nA,在254 nm波长的紫外光照射下产生220 nA光电发射电流,光暗电流比达到103数量级。