BIM技术在水利工程建设中的应用与拓展研究

现阶段,随着建筑行业领域的不断发展,建筑信息模型作为新兴的行业辅助工具,被广泛运用于建筑工程的各行各业,也得到了广泛的认可,展现了较好的发展前景。建筑信息模型是以计算机技术和模拟技术等作为基础支撑,在建筑过程中进行数字展示,并辅以数字信息交互与合作,实现全面系统地展现建筑从起建到运营的整个生命周期,非常便于提取建筑信息,大幅度提升工程设计与施工管理的效率。水利工程主要具有以下特点,包括地形条件多样、设计图纸繁杂、计算土方量困难、造型设计独特等,为满足水利工程的特点,达到工程设计与施工管理的各项要求,必须要采用建筑信息模型来完成水利工程施工,以确保项目质量。     

电力投资回收模型新探

鉴于按照传统的静态投资回收方式回收投资，使固定资产投资额成大的电力工业企业无力收回投资原值的状况，提出了一种新的投资回收方法，主要着眼于对投资全部价值的回收。     

工程制图课教学中如何提高学生的能力

我国新时期总目标总任务的实现,要靠教育来培养和输送新型的合格人才。这种人才的培养只有按“教育要面向现代化,面向世界,面向未来”的要求才能完成。“面向未来”揭示了教育工作的本质和规律,为了适应未来对人才的需要,必须加强基础,注重能力,培养出基础扎实、知识面宽、具有研究能力和创新精神的“开发型”人才。下面仅就工程制图课教学中如何提高学生的能力,谈谈初步看法。     

二维层状纳米片材料制备及在电解水中应用的研究进展

高效、清洁的氢能被认为是化石能源最有潜力的替代能源之一。制氢方法中电解水制氢是非常简便、且易于规模化的一种方法,但是电解水过程中存在制氢能耗增加、成本升高等问题,因此制备能耗低、具有稳定催化效率的催化剂成为能源领域的研究热点。层状双金属氢氧化物（LDHs）由于具有独特的二维层状结构,使其组成易于调节、结构易于调控,因此具有高效的电催化活性。但是,LDHs存在尺寸大、厚度高的问题,导致电催化剂的活性位点的数目受限、本征活性低和电导率低,最终会影响LDHs的电催化性能。主要论述了LDHs的结构和电解机理以及作为电解水催化剂的研究现状,对目前存在的问题以及解决方法进行了归纳,并对未来的研究方向进行了展望。     

基于ARM微控制器的医疗机器人主从夹持控制系统设计与实现

利用ARM微控制器，基于自主研发的医疗机器人用关节式主操作手和从操作手手指，构建了主从遥操作夹持控制系统。其中，设计了AT91RM9200 ARM微控制器与外围器件的硬件电路，并在运行于硬件平台的LINUX操作系统上开发了相应的硬件驱动程序。     

机械产品布局设计的分层递阶求解模型

采用自上而下的设计思想 ,提出将布局约束分为部件级、零件级和特征级的由整体到局部进行分层表达的思想 ,并据此建立布局设计的分层递阶求解模型。     

含复杂回路控制系统奈氏稳定判据的讨论及应用

奈奎斯特频域稳定判据是判别控制系统稳定性的常用方法。它的特点是根据开环系统频率特性曲线判定闭环系统的稳定性。含复杂回路的控制系统用不同的等效化简方法会得到不同的开环传递函数。通过讨论,证明同一系统不同开环传递函数应用奈奎斯特频域稳定判据得到的闭环稳定性的结果是相同的。因此在实际工程中,可以灵活地根据系统等效化简的原则得到其开环传递函数。应用上述结论对含间隙的机电伺服系统进行了等效化简,并对其闭环稳定性进行分析,同时分析刚度、阻尼、转动惯量对系统稳定性的影响。     

对提高实习生工作忠诚度的分析

分析指出实习生低工作忠诚度的原因在于其与正式员工的差异,结合三家企业管理实习生的经验,提出从定岗定编、强化人力资源规划、加强文化建设等角度提高实习生的工作忠诚度。     

实验室在校准、检测工作中如何编制测量设备校准方法

0引言测量设备是实验室开展检测和校准活动的重要手段和工具,是反映实验室技术能力的重要组成部分,是影响检测/校准结果准确性最为重要因素之一,所以测量设备在当前的实验室管理工作中具有特别重要的地位。目前,在实际工作中,常会遇到有一些测量设备没有相应的检定规程或校准规范,这就需要我们实验室自行编制校准方法,来保证这些测量设备性能良好,检测数据准确可靠。本文介绍了编写测量设备校准方法的步骤和要求。1基本概念1·1检定查明和确认计量器具是否符合法定的程序,它包括检查、加标记和(或)出具检定证书。1·2校准在规定条件下,为确…     

高密度Si基半导体电容器的性能及其制作

随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能。结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10kHz～3.2GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦。